| 主权项 |
1.一种将一组二进位码写入一唯读记忆体(rcad onlymemory, ROM)的方法,该唯读记忆体系制作于一晶片(die),其包含有复数个记忆单元(memory cell)以一矩阵格式排列于该晶片表面,每一记忆单元内含有一电晶体(MOS tran-sistor),该方法包含有下列步骤:制作一第一光罩以及一第二光罩,该第一及第二光罩均包含有复数个以该矩阵格式排列且与该复数个记忆单元相对应之区域,每一区域可设定为一透明区或不透明区,该第一及第二光罩系以一初始第一码图,一初始第二码图以及该组待写入之二进位码制成,该初始第一及第二码图各包含有一组依序排列且与该矩阵格式排列之区域相对应之二进位値,该二码图各个位置之二进位値系分别与该矩阵格式排列之各个区域相对应,且该第一码图之各个位置之二进位値与该第二码图各个相对应位置之二进位値均不相同,于制作该第一及一第二光罩前,该组待写入之各个二进位码需个别与该二码图中待写入位置中之二进位値相联集以形成一最后第一码图及一最后第二码图,而该第一及第二光罩即系以该最后第一码图以及该最后第二码图分别制成,该第一及第二光罩上以该矩阵格式排列之各个区域为透明区或不透明区则是分别由该最后第一及第二码图各个相对应位置之二进位値来决定;以该第一光罩进行一第一微影制程以使该唯读记忆体之复数个记忆单元表面形成一第一光阻层,该第一光阻层含有至少一孔洞:该第一光阻层之每一孔洞系相对应于该第一光罩上以该矩阵格式排列之复数个区域中之一区域,且系位于与该区域相对应之记忆单元的表面;进行一第一离子布植制程,使该第一光阻层之各个孔洞下之记忆单元的电晶体被离子布植;完全去除该第一光阻层;以该第二光罩进行一第二微影制程以使该唯读记忆体之复数个记忆单元表面形成一第二光阻层,该第二光阻层含有至少一孔洞,该第二光阻层之每一孔洞系相对应于该第二光罩上以该矩阵格式排列之复数个区域中之一区域,且系位于与该区域相对应之记忆单元的表面;进行一第二离子布植制程,以使该第二光阻层之各个孔洞下之记忆单元的电晶体被离子布植;以及完全去除该第二光阻层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该初始第一及第二码图中之各组二进位値也是以该矩阵格式依序排列,且每一二进位値系与四个不相同之二进位値相邻。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一离子布植制程与第二离子布植制程系分别用来调高该第一光阻层之孔洞与该第二光阻层之孔洞下之电晶体的闸极临界电压(gate threshold voltage)。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该电晶体系为N型电晶体。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一离子布植制程与第二离子布植制程系以硼(boron, B)为主要布植物。6.一种将一组二进位码写入一唯读记忆体(readonly memory, ROM)的方法,该唯读记忆体系制作于一半导体晶片,其包含有复数个记忆单元以一矩阵格式排列于一半导体晶片表面,每一记忆单元内含有一电晶体,该方法包含有下列步骤:制作一第一光罩以及一第二光罩,该第一及第二光罩均包含有复数个以该矩阵格式排列且与该复数个记忆单元相对应之区域,每一区域可设定为一透明区或不透明区,该第一及第二光罩系以一初始第一码图,一初始第二码图以及该组待写入之二进位码制成,该初始第一及第二码图各包含有一组依序排列且与该矩阵格式排列之区域相对应之二进位値,该二码图各个位置之二进位値系分别与该矩阵格式排列之各个区域相对应,且该第一码图之各个位置之二进位値与该第二码图各个相对应位置之二进位値均不相同,于制作该第一及一第二光罩前,该组符写入之各个二进位码需个别与该二码图中待写入位置中之二进位値相联集以形成一最后第一码图及一最后第二码图,而该第一及第二光罩即系以该最后第一码图以及该最后第二码图分别制成,该第一及第二光罩上以该矩阵格式排列之各个区域为透明区或不透明区则是分别由该最后第一及第二码图各个相对应位置之二进位値来决定;于该唯读记忆体之复数个记忆单元表面形成一光阻层;分别以该第一光罩与该第二光罩对该光阻层进行重复曝光(double exposure);进行一显影制程以使该光阻层上形成复数个孔洞,该光阻层上之每一孔洞系相对应于该矩阵格式排列之复数个区域中之一区域,且系位于与该区域相对应之记忆单元的表面;以及进行一离子布植制程,使该光阻层之各个孔洞下之记忆单元的电晶体被离子布植。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该初始第一及第二码图中之各组二进位値也是以该矩阵格式依序排列,且每一二进位値系与四个不相同之二进位値相邻。8.如申请专利范围第6项之方法,其中该离子布植制程系用来调高该光阻层之孔洞下之电晶体的闸极临界电压。9.如申请专利范围第6项之方法,其中该电晶体系为N型电晶体。10.如申请专利范围第6项之方法,其中该离子布植制程系以硼为主要布植物。图式简单说明:第一图为习知一组二进位码的示意图。第二图为习知直接依据第二图所示之二进位码所制作之光罩的示意图。第三图至第五图为习知将一组二进位码写入唯读记忆体的方法的示意图。第六图为习知对光罩上的孔洞与岛屿型态的图案进行曝光制程所需控制的焦距与曝光能量的关系图。第七图为进行本发明之唯读记忆体的示意图。第八图为用于本发明之二进位码的示意图。第九图及第十图分别为本发明初始第一及初始第二码图的示意图。第十一图及第十二图分别为本发明最后第一及最后第二码图的示意图。第十三图为以第十一图所示之最后第一码图所制成之第一光罩的示意图。第十四图为以第十二图所示之最后第二码图所制成之第二光罩的示意图。第十五图至第十八图为本发明利用第十三图及第十四图所示之第一及第二光罩将待写入之二进位码写入唯读记忆体的方法的示意图。第十九图至第二十二图为本发明另一种将待写入之二进位码写入唯读记忆体的方法的示意图。 |
