| 主权项 |
1.一种侧向薄膜绝缘体外延矽(SOI)装置(20),包括:一半导体基材(22),该基材上之埋入绝缘层(24),及该埋入绝缘层上之侧向MOS装置,且具有一第一传导型之源极区(28),形成在与第一传导型相反之第二传导型本体区(30)中,与该本体区相邻之该第一传导型之侧向漂移区(32),该第一传导型之汲极区(34)且与该本体区藉由该侧向漂移区侧向相隔,及一闸极(36)在该本体区之一部分上,其中一通道区在操作期间形成,且在相邻该本体区之该侧向漂移区(32B)之至少一部分上,该闸极藉由一绝缘区(38)与该本体区及漂移区绝缘,该侧向漂移区具有一级状侧向掺杂侧面,相邻该本体区之该侧向漂移区(32B)之第一部分具有一第一实质线性级状侧向掺杂侧面,具有一第一掺杂侧面斜率(M1),及相邻该汲极区之该侧向漂移区(32A)之第二部分具有一第二实质线性级状侧向掺杂侧面,具有一第二掺杂侧面斜率(M2)其大于该第一掺杂侧面斜率。2.如申请专利范围第1项之侧向薄膜绝缘体外延矽(SOI)装置,其中该绝缘区在该漂移区之上及与该本体区相邻之一点具有一厚度不连续(38D),而从该第一掺杂侧面斜率至该侧向漂移区中之第二掺杂侧面斜率之转移发生在大约该不连续(X1)之下之该漂移区之一区域中。3.如申请专利范围第2项之侧向薄膜绝缘体外延矽(SOI)装置,其中该绝缘区在该漂移区之上具有复数个该厚度不连续(38C,38D)不连续,而该转移发生在大约该等不连续之一下方该漂移区之一区域中,其与该本体区(38D)相距最远。4.如申请专利范围第1项之侧向薄膜绝缘体外延矽(SOI)装置,其中该第二掺杂侧面斜率(M2)在大于该第一掺杂侧面斜率(M1)约1.3至1.4倍之范围中。5.如申请专利范围第2项之侧向薄膜绝缘体外延矽(SOI)装置,其中该第二掺杂侧面斜率在大于该第一掺杂侧面斜率约1.3至1.4倍之范围中。6.如申请专利范围第3项之侧向薄膜绝缘体外延矽(SOI)装置,其中该第二掺杂侧面斜率在大于该第一掺杂侧面斜率约1.3至1.4倍之范围中。7.如申请专利范围第1项之侧向薄膜绝缘体外延矽(SOI)装置,其中该第一掺杂侧面斜率约系2.01015at.cm-2/cm,而该第二掺杂侧面斜率约系2.61015at.cm-2/cm。8.如申请专利范围第2项之侧向薄膜绝缘体外延矽(SOI)装置,其中该第一掺杂侧面斜率约系2.01015at.cm-2/cm,而该第二掺杂侧面斜率约系2.61015at.cm-2/cm。9.如申请专利范围第3项之侧向薄膜绝缘体外延矽(SOI)装置,其中该第一掺杂侧面斜率约系2.01015at.cm-2/cm,而该第二掺杂侧面斜率约系2.61015at.cm-2/cm。10.如申请专利范围第2项之侧向薄膜绝缘体外延矽(SOI)装置,其中掺杂侧面斜率中之该转移发生在漂移区之该区域部分中,其位在该不连续侧之下其接近该汲极区(X1)。11.如申请专利范围第3项之侧向薄膜绝缘体外延矽(SOI)装置,其中掺杂侧面斜率中之该转移发生在漂移区之该区域部分中,其位在该最远不连续侧之下其接近该汲极区。图式简单说明:第一图显示根据本发明较佳实施例的侧向薄膜SOI装置的简化剖视图;及第二图显示在第一图所示装置的侧向漂移区中的掺杂侧面的简化图形。 |
