| 主权项 |
1.一种自对准接触之形成方法,包含下列步骤:形成一闸极保护膜,该闸极保护膜系覆盖位于一半导体基板上之电晶体的闸电极;沈积一介电层于该闸极保护膜及该电晶体上;以及选择性蚀刻该介电层,以形成一接触孔,该接触孔系用以曝露该电晶体之源极/汲极区域,其中:该闸极保护膜系选自由非晶形SiC以及六氯乙矽烷(HexaChloroDisilane,HCD)-SiN所组成之族群中之材料。2.如申请专利范围第1项之自对准接触之形成方法,其中形成该闸极保护膜之步骤系包含下列子步骤:沉积一蚀刻中止层,以覆盖位于该半导体基板上之该电晶体;以及移除该蚀刻中止层之一部分,以形成该闸极保护膜,其中该闸极保护膜仅覆盖该电晶体之该闸电极。3.如申请专利范围第2项之自对准接触之形成方法,其中该蚀刻中止层之一部分之移除,系使用非等向性蚀刻。4.如申请专利范围第1项之自对准接触之形成方法,其中该介电层包含氧化矽。5.如申请专利范围第1项之自对准接触之形成方法,其中该介电层之选择性蚀刻,系使用包含C4F8与CO之反应性化学气体的反应性离子蚀刻制程。6.如申请专利范围第1项之自对准接触之形成方法,其中该介电层之选择性蚀刻,系使用沈积于该介电层上之一图案化光阻膜作为遮罩。7.如申请专利范围第1项之自对准接触之形成方法,其中该接触孔之尺寸实质上大于或等于该源极/汲极区域之尺寸。8.如申请专利范围第1项之自对准接触之形成方法,其中该接触孔实质上对准于该源极/汲极区域。9.一种自对准接触之形成方法,包含下列步骤:形成一第一闸极保护膜与一第二闸极保护膜,该第一闸极保护膜与该第二闸极保护膜系分别覆盖一第一电晶体之第一闸电极与一第二电晶体之第二闸电极,其中该第一与该第二电晶体系位于一共用半导体基板上,并且该第一与该第二电晶体具有介于该第一与该第二闸电极间之一共用源极/汲极区域;沈积一介电层于该第一与该第二闸极保护膜,及该第一与该第二电晶体上;以及选择性蚀刻该介电层,以形成一接触孔,该接触孔系用以曝露该第一与该第二电晶体之该共用源极/汲极区域,其中:该第一闸极保护膜系选自由非晶形SiC以及六氯乙矽烷(HexaChlordDisilane,HCD)-SiN所组成之族群中之材料;以及该第二闸极保护膜系选自由非晶形SiC以及六氯乙矽烷(HexaChloroDisilane,HCD)-SiN所组成之族群中之材料。10.如申请专利范围第9项之自对准接触之形成方法,其中形成该闸极保护膜之步骤系包含下列子步骤:沉积一蚀刻中止层,以覆盖位于该共用半导体基板上之该第一与该第二电晶体;以及移除该蚀刻中止层之一部分,以形成该第一闸极保护膜与该第二闸极保护膜,其中该第一闸极保护膜仅覆盖该第一电晶体之该第一闸电极,且该第二闸极保护膜仅覆盖该第二电晶体之该第二闸电极。11.如申请专利范围第10项之自对准接触之形成方法,其中该蚀刻中止层之一部分之移除,系使用非等向性蚀刻。12.如申请专利范围第9项之自对准接触之形成方法,其中该介电层包含氧化矽。13.如申请专利范围第9项之自对准接触之形成方法,其中该介电层之选择性蚀刻,系使用包含C4F8与CO之反应性化学气体的反应性离子蚀刻制程。14.如申请专利范围第9项之自对准接触之形成方法,其中该介电层之选择性蚀刻,系使用沈积于该介电层上之一图案化光阻膜作为遮罩。15.如申请专利范围第9项之自对准接触之形成方法,其中该接触孔之尺寸实质上大于或等于该共用源极/汲极区域之尺寸。16.如申请专利范围第9项之自对准接触之形成方法,其中该接触孔实质上对准该共用源极/汲极区域。图式简单说明:第一图(a)至第一图(b)之剖面图系显示习知技术接触孔之形成方法;第二图之剖面图系显示蚀刻中止层,用以覆盖位于共用半导体基板上之电晶体;第三图之剖面图系显示第一闸极保护膜与第二闸极保护膜,用以分别覆盖第一闸电极与第二闸电极;第四图之剖面图系显示沈积于电晶体上之图案化光阻膜与介电层;以及第五图之剖面图系显示,形成于介电层中之自对准接触孔,用以曝露电晶体之共用源极/汲极区域。 |
