发明名称 延迟锁定回路电路及使用它的半导体记忆体元件
摘要 本发明供应一个由一DLL电路所产生的第一延迟控制讯号到一第一可变化延迟电路,该第一可变化延迟电路藉着将一时钟延迟一规定时间周期来产生一控制时钟。该DDL电路包含:一第一延迟回路,包含串接的一第二可变化延迟电路和一第三可变化延迟电路,该时钟系被供应到该第一延迟回路;一相位比较器,其系被供应有一个自该时钟延迟该时钟之360°之一整数因数的时钟作为参考时钟,及该第一延迟回路的输出作为一可变化时钟;及一延迟控制电路,其根据来自该相位比较器的一相位比较结果讯号来产生该第一延迟控制讯号以致于该两个供应时钟没有相位差。该第二可变化延迟回路系被供应有该第一延迟控制讯号。该第三可变化延迟回路根据由一β°侦测电路所产生的一第二延迟控制讯号而系具有一个β。的延迟时间。结果,该第二可变化延迟电路产生一个大约360°-β°=α°的延迟时间。藉着以这第一延迟控制讯号类似地控制该第一可变化延迟电路的延迟时间,从它那里输出的控制时钟系自该时钟相位延迟α°。
申请公布号 TW441188 申请公布日期 2001.06.16
申请号 TW087101758 申请日期 1998.02.10
申请人 富士通股份有限公司 发明人 富田浩由
分类号 G11C11/407;H03L7/00 主分类号 G11C11/407
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种产生一控制时钟的DLL电路,该控制时钟系自 一第一时钟延迟一规定相位,该DLL电路包含: 一第一可变化延迟电路,该第一可变化延迟电路输 入该第一时钟并且产生该控制时钟; 一第一延迟回路,该第一延迟回路输入该第一时钟 并且包含串接的一第二可变化延迟电路和一第三 可变化延迟电路; 一第一相位比较器,该第一相位比较器将一参考时 钟的相位与一自该第一延迟回路输出之第一可变 化时钟的相位做比较,该参考时钟具有一个相等于 自该第一时钟相位延迟360之一整数因数的相位延 迟,该第一相位比较器产生一个对应于这相位差的 第一相位比较结果讯号; 一第一延迟控制电路,该第一延迟控制电路接收该 第一相位比较结果讯号并且供应一个使该参考时 钟与该第一可变化时钟之相位一致的第一延迟控 制讯号到该第二可变化延迟电路和该第一可变化 延迟电路;及 一侦测电路,该侦测电路产生一个使该第三 可变化延迟电路具有该第一时钟之(=360-)之 延迟时间的第二延迟控制讯号。2.如申请专利范 围第1项所述之DLL电路,其中,该侦测电路包含: 一第二延迟回路,该第二延迟回路输入该第一时钟 并且包含数个串接的可变化延迟电路; 一第二相位比较器,该第二相位比较器将该参考时 钟的相位与一从该第二可变化回路输出之第二可 变化时钟的相位做比较,并且产生一个对应于该相 位差的第二相位比较结果讯号;及 一第二延迟控制电路,该第二延迟控制电路接收该 第二相位比较结果讯号并且分别供应该使得该参 考时钟与该第二可变化时钟之相位一致的第二延 迟控制讯号到构成该第二延迟回路的该数个可变 化延迟电路。3.如申请专利范围第2项所述之DLL电 路,其中,该是为超过180。4.如申请专利范围第2 或3项所述之DLL电路,其中,该可变化延迟电路包含 数个串接的逻辑闸,而且该等逻辑闸的级数可以藉 着该延迟控制讯号来可变化地设定。5.如申请专 利范围第2或3项所述之DLL电路,进一步包含一个接 收一外部时钟并输出该第一时钟的输入缓冲器;一 个接收由该第一可变化延迟电路所产生之控制时 钟并且在该控制时钟之时序处产生一规定输出的 输出电路;及一个具有与该输入援冲器相同之延迟 时间的假输入缓冲器和一个具有与该输出电路相 同之延迟时间的假输出电路,该假输入缓冲器和该 假输出电路皆系设于该第一延迟回路中。6.一种 产生自一外部时钟延迟一规定相位之资料输出 的半导体记忆体元件,包含: 一输出电路,该输出电路接收一控制时钟并且产生 该资料输出; 一输入缓冲器,该输入缓冲器接收该外部时钟并且 输出一第一时钟; 一第一可变化延迟电路,该第一可变化延迟电路输 入该第一时钟并且根据一第一延迟控制讯号产生 该控制时钟;及 一DLL电路,该DLL电路产生该第一延迟控制讯号; 其中。该DLL电路包含: 一第一延迟回路,该第一延迟回路输入该第一时钟 并且包含串接的一第二可变化延迟电路和一第三 可变化延迟电路; 一第一相位比较器,该第一相位比较器将一参考时 钟的相位与一自该第一延迟回路输出之第一可变 化时钟的相位做比较,该参考时钟具有一个相等于 自该第一时钟相位延迟360之一整数因数的相位延 迟,该第一相位比较器产生一个对应于这相位差的 第一相位比较结果讯号; 一第一延迟控制电路,该第一延迟控制电路接收该 第一相位比较结果讯号并且供应该使该参考时钟 与该第一可变化时钟之相位一致的第一延迟控制 讯号到该第二可变化延迟电路和该第一可变化延 迟电路;及 一侦测电路。该侦测电路产生一个使该第 三可变化延迟电路具有该第一时钟之(=360-) 之延迟时间的第二延迟控制讯号。7.如申请专利 范围第6项所述之半导体记忆体元件,其中,该侦 测电路包含: 一第二延迟回路,该第二延迟回路输入该第一时钟 并且包含数个串接的可变化延迟电路; 一第二相位比较器,该第二相位比较器将该参考时 钟的相位与一从该第二可变化回路输出之第二可 变化时钟的相位做比较,并且产生一个对应于该相 位差的第二相位比较结果讯号;及 一第二延迟控制电路,该第二延迟控制电路接收该 第二相位比较结果讯号并且分别供应该使得该参 考时钟与该第二可变化时钟之相位一致的第二延 迟控制讯号到构成该第二延迟回路的该数个可变 化延迟电路。8.如申请专利范围第6或7项所述之半 导体记忆体元件,其中,该是为超过180。9.如申 请专利范围第6或7项所述之半导体记忆体元件,其 中,在该第一延迟回路中,系有一个具有与该输入 缓冲器相同之延迟时间的假输入缓冲器和一个具 有与该输出电路相同之延迟时间的假输出电路。 图式简单说明: 第一图系描绘本发明之实施例之原理的电路图。 第二图显示该实施例之DLL电路的一明确例子。 第三图系第二图中之电路的时序图。 第四图系显示一可变化延迟电路之一例子的电路 图。 第五图描绘一延迟控制电路。 第六图系一相位比较器的详细电路图。 第七图系显示第六图之运作的时序图。 第八图显示为了与第二图中之DLL电路做比较之目 的之一DLL电路的另一例子。 第九图系显示一明确例子的图示,其中,在第二图 和第八图中所显示的DLL电路系被应用到一SDRAM。 第十图系第九图中之该SDRAM的时序图。
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