| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,包括:提供一基底;于该基底上形成一介电层;于该介电层上形成一终止层;于该介电层与该终止层中形成一接触窗插塞;于该基底上形成一堆叠层,该堆叠层系由复数个第一材料层与复数个第二材料层相互堆叠而成;将该堆叠层图案化,以在该堆叠层中形成一电容开口;去除部分该些第一材料层,以使该电容开口具有凹凸之侧壁;于该基底上覆盖一复晶矽层,以填满该电容开口;于该复晶矽层上形成一铝层;于该铝层上形成一金属层;进行一回火制程,以使该铝层取代该复晶矽层,而填入于该电容开口之中,并使该被取代的复晶矽层与该金属层反应而形成一金属矽化物;去除该堆叠层上所覆盖之该铝层与该金属矽化物;去除该堆叠层,以裸露出该铝层所形成之一下电极;于该下电极之表面形成一电容介电层;以及于该基底上形成一导体层以用以制作一上电极。2.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该第一材料层与该第二材料层之材质具有不同的蚀刻速率。3.如申请专利范围第2项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该第一材料层包括硼磷矽玻璃,该第二材料层包括高温氧化层。4.如申请专利范围第2项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该第一材料层包括高温氧化层,该第二材料材料层包括硼磷矽玻璃。5.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中去除部分该些第一材料层的方法包括湿式蚀刻法。6.如申请专利范围第5项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该湿式蚀刻法系使用含有5%氢氟酸与含有5%水的四氢喃溶液作为蚀刻液。7.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该复晶矽层系以矽烷作为反应气体,于摄氏620度,0.2Torr的压力中形成者。8.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该金属层包括钛。9.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该回火制程的温度约在摄氏450度至500度。10.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该回火制程系于氮气环境中施行。11.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中去除该堆叠层上所覆盖之该铝层与该金属矽化物的方法包括化学机械研磨法。12.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中去除该堆叠层的方法包括化学乾式蚀刻法。13.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该电容介电层包括钛酸锶钡。14.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该导体层之材质包括氮化钛。15.一种动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,包括:于一基底上形成一堆叠层,该堆叠层具有一电容开口;于该基底上覆盖一复晶矽层,以填满该电容开口;于该复晶矽层上形成一铝层;于该铝层上形成一金属层;进行一回火制程,以使该铝层取代该复晶矽层,并使该复晶矽层与该金属层反应而形成一金属矽化物;去除该堆叠层上所覆盖之该铝层与该金属矽化物;去除该堆叠层,以裸露出该铝层所形成之一下电极;于该下电极之表面形成一电容介电层;以及于该基底上形成一导体层以用以制作一上电极。16.如申请专利范围第15项所述之动态随机存取记忆体对电容器的制造方法,其中该复晶矽层系以矽烷作为反应气体,于摄氏620度,0.2Torr的压力中形成者。17.如申请专利范围第15项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该金属层包括钛。18.如申请专利范围第15项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该回火制程的温度约在摄氏450度至500度。19.如申请专利范围第15项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该回火制程系于氮气环境中施行。20.如申请专利范围第15项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中去除该堆叠层上所覆盖之该铝层与该金属矽化物的方法包括化学机械研磨法。21.如申请专利范围第15项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中去除该堆叠层的方法包括化学乾式蚀刻法。22.如申请专利范围第15项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该电容介电层包括钛酸锶钡。23.如申请专利范围第15项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该导体层之材质包括氮化钛。图式简单说明:第一图A至第一图I系依据本发明较佳实施例所绘示之一种动态随机存取记忆体其电容器之制造流程的结构剖面示意图。 |
