| 发明名称 |
1 2 MEMORY DEVICE WITH TWO FEROELECTRIC CAPACITORS PER ONE CELL |
| 摘要 |
<p>소오스 영역 이외에 드레인 영역과 게이트 전극을 구비하는 전계 효과 트랜지스터의 소오스 영역과 게이트 전극이 제1 강유전성 커패시터에 의해 접속된다. 드레인 영역과 게이트 전극은 제2 강유전성 커패시터에 의해 접속된다. 고집적도에 적합한 강유전성 메모리 장치가 제공된다.</p> |
| 申请公布号 |
KR100293974(B1) |
申请公布日期 |
2001.06.15 |
| 申请号 |
KR19990011657 |
申请日期 |
1999.04.02 |
| 申请人 |
null, null |
发明人 |
아오끼마사끼;이또아끼오;무시가미쓰테루;나가무라고;에시따다까시 |
| 分类号 |
G11C11/22;H01L21/8246;H01L27/115 |
主分类号 |
G11C11/22 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
