| 主权项 |
1.一种固态影像侦知器,包括:(a)复数个第一电荷传送区,各个第一电荷传送区用以垂直传送电荷,该复数个第一电荷传送区是形成在一半导体层表面上;(b)一第二电荷传送区,用以水平传送电荷,形成在该第一电荷传送区的一端之旁,该第二电荷传送区包括一电荷障壁区和一电荷累积区;(c)一第一电位势障壁区,位在该第二电荷传送区之旁;(d)一过量电荷消耗区,位在该第一电位势障壁区之旁;以及(e)复数个第二电位势障壁区,位在该第一电位势障壁区之内,该复数个第二电位势障壁区互相隔开。2.如申请专利范围第1项所述的固态影像侦知器,其中该各个第二电位势障壁区是由一具有一第一导电度的半导体区所组成,该第一电位势障壁区是由一具有一第二导电度的半导体区所组成。3.如申请专利范围第1项所述的固态影像侦知器,其中该第二电位势障壁区具有与该半导体层相同的导电度。4.如申请专利范围第3项所述的固态影像侦知器,其中该第二电位势障壁区具有比该半导体层较高的掺杂浓度。5.如申请专利范围第1项所述的固态影像侦知器,其中该第二电位势障壁区具有与第一电位势障壁区相同的导电度。6.如申请专利范围第5项所述的固态影像侦知器,其中该第二电位势障壁区具有比半导体区较低的掺杂浓度。7.如申请专利范围第1.2.3.4.5或6项所述的固态影像侦知器,其中该第二电位势障壁区与一作为电性隔离用之元件隔离区具有相同的成份,并且与该元件隔离区在同一制程步骤中同时完成。8.如申请专利范围第1.2.3.4.5或6项所述的固态影像侦知器,更包括复数个电荷传送电极,用以水平传送电荷,位于该电荷障壁区旁,该电荷传送电极是延伸形成在该第二电位势障壁区上。9.如申请专利范围第1.2.3.4.5或6项所述的固态影像侦知器,其中该第二电位势障壁区两两相隔约1m。10.如申请专利范围第8项所述的固态影像侦知器,其中该电荷传送电极延伸在该第一电位势障壁区与该过量电荷消耗区之上,其间夹着一绝缘薄膜。11.如申请专利范围第8项所述的固态影像侦知器,其中该电荷传送电极是为双层电极及双相驱动系统。12.如申请专利范围第8项所述的固态影像侦知器,其中该电荷传送电极是为单层电极及双相驱动系统。13.一种固态影像侦知器,包括:(a)复数个第一电荷传送区,各个第一电荷传送区用以垂直传送电荷,该复数个第一电荷传送区是形成在一具有一第一导电度之半导体层表面上,该各个第一电荷传送区是由一具有一第二导电度的半导体区所形成;(b)一第二电荷传送区,用以水平传送电荷,形成在该第一电荷传送区的一端之旁,该第二电荷传送区包括一电荷障壁区是由一具有一第二导电度的第二半导体区所形成,和一电荷累积区是由一具有一第二导电度的第三半导体区所形成,且该第三半导体区之掺杂浓度高于该第二半导体区;(c)一第一电位势障壁区,位在该第二电荷传送区之旁,是由一具有一第二导电度的第四半导体区所形成;(d)一过量电荷消耗区,位在该第一电位势障壁区之旁,是由一具有一第二导电度的第五半导体区所形成,且该第五半导体区之掺杂浓度高于该第一半导体区;以及(e)复数个第二电位势障壁区,位在该第四半导体区之内,是由一具有一第一导电度的半导体区所形成,该复数个第二电位势障壁区互相隔开。14.如申请专利范围第13项所述的固态影像侦知器,其中该第二半导体区与该第四半导体区相同。15.如申请专利范围第13或14项所述的固态影像侦知器,其中该第二电位势障壁区与一作为电性隔离用之元件隔离区具有相同的成份,并且与该元件隔离区在同一制程步骤中同时完成。16.如申请专利范围第13或14项所述的固态影像侦知器,更包括复数个电荷传送电极,用以水平传送电荷,位于该电荷障壁区旁,该电荷传送电极是延伸形成在该第二电位势障壁区上。17.如申请专利范围第13或14项所述的固态影像侦知器,其中该第二电位势障壁区两两相隔约1m。18.如申请专利范围第16项所述的固态影像侦知器,其中该电荷传送电极延伸在该第一电位势障壁区与该过量电荷消耗区之上,其间夹着一绝缘薄膜。19.如申请专利范围第16项所述的固态影像侦知器,其中该电荷传送电极是为双层电极及双相驱动系统。20.如申请专利范围第16项所述的固态影像侦知器,其中该电荷传送电极是为单层电极及双相驱动系统。21.一种固态影像侦知器,包括:(a)复数个第一电荷传送区,各个第一电荷传送区用以垂直传送电荷,该复数个第一电荷传送区是形成在一具有一第一导电度之半导体层表面上,该各个第一电荷传送区是由一具有一第二导电度的半导体区所形成;(b)一第二电荷传送区,用以水平传送电荷,形成在该第一电荷传送区的一端之旁,该第二电荷传送区包括一电荷障壁区是由一具有一第二导电度的第二半导体区所形成,和一电荷累积区是由一具有一第二导电度的第三半导体区所形成,且该第三半导体区之掺杂浓度高于该第二半导体区;(c)一第一电位势障壁区,位在该第二电荷传送区之旁,是由一具有一第二导电度的第四半导体区所形成;(d)一过量电荷消耗区,位在该第一电位势障壁区之旁,是由一具有一第二导电度的第五半导体区所形成,且该第五半导体区之掺杂浓度高于该第一半导体区;以及(e)复数个第二电位势障壁区,位在该第四半导体区之内,是由一具有一第二导电度的第六半导体区所形成,且该第六半导体区之掺杂浓度低于该第四半导体区,该复数个第二电位势障壁区互相隔开。22.如申请专利范围第21项所述的固态影像侦知器,其中该第二半导体区与该第四半导体区相同。23.如申请专利范围第21或22项所述的固态影像侦知器,更包括复数个电荷传送电极,用以水平传送电荷,位于该电荷障壁区旁,该电荷传送电极是延伸形成在该第二电位势障壁区上。24.如申请专利范围第21或22项所述的固态影像侦知器,其中该第二电位势障壁区两两相隔约1m。25.如申请专利范围第23项所述的固态影像侦知器,其中该电荷传送电极延伸在该第一电位势障壁区与该过量电荷消耗区之上,其间夹着一绝缘薄膜。26.如申请专利范围第23项所述的固态影像侦知器,其中该电荷传送电极是为双层电极及双相驱动系统。27.如申请专利范围第23项所述的固态影像侦知器,其中该电荷传送电极是为单层电极及双相驱动系统。图式简单说明:第一图系显示一传统固态影像侦知器系统方块图,包括邻近水平电荷传送区旁的电荷耗损区。第二图系显示第一图中用虚线A圈起来的范围的放大的平面图。第三图系显示一沿第二图中之切线III-III之剖面图,其显示剖面中每一区段的电位能。第四图系显示一沿第二图中之切线IV-IV之剖面图,其显示剖面中每一区段的电位能。第五图系显示根据第一实施例的固态影像侦知器之平面图,包括一电荷耗损区,其位在水平电荷传送区旁。第六图系显示一沿第五图中之切线VI-VI之剖面图,其显示剖面中每一区段的电位能。第七图系显示根据第二实施例的固态影像侦知器之平面图,包括一电荷耗损区,其位在水平电荷传送区旁。第八图系显示一沿第七图中之切线VIII-VIII之剖面图,其显示剖面中每一区段的电位能。第九图系显示根据第三实施例的固态影像侦知器之平面图,包括一电荷耗损区,其位在水平电荷传送区旁。第十图系显示一沿第九图中之切线X-X之剖面图,其显示剖面中每一区段的电位能。第十一图系显示一平面图,展示第一至第三实施例之固态影像侦知器的不同。 |
