| 主权项 |
1.一种利用单极天线激发表面微波电浆之装置,包括:一转接器,包括:一矩形导波管,用以接收一微波,及一同轴导波管,连接该矩形导波管用以传递该微波;以及一腔体,其顶部中央用以连接该同轴导波管,该腔体包括:一谐振腔部份,用以接收该微波,并产生一微波谐振模态,及一真空腔部份,位于该谐振腔部份下方,用以接收该微波谐振模态,产生一电浆。2.如申请专利范围第1所述之装置,更包括以复数支探针嵌入于该腔体之顶部。3.如申请专利范围第2项所述之装置,其中该些探针之数目为24。4.如申请专利范围第2项所述之装置,其中该些探针嵌入该腔体之顶部的深度系可调变。如申请专利范围第2所述之装置,其中该些探针系以该同轴导波管为中心而展开分布。6.如申请专利范围第5项所述之装置,其中该些探针与该同轴导波管形成一固定间距之格子状分布。7.如申请专利范围第6项所述之装置,其中该固定间距为6-8公分。8.如申请专利范围第1或2项所述之装置,其中该腔体之顶部系为一介电板。9.如申请专利范围第8项所述之装置,其中该介电板是以聚乙烯(PE)制成。10.如申请专利范围第8项所述之装置,其中该介电板是以聚丙烯(PP)制成。11.如申请专利范围第8项所述之装置,其中该介电板是以铁弗龙制成。12.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该同轴导波管末端具有一中央导体,垂直地嵌入该腔体之顶部中央,形成一单极天线。13.如申请专利范围第12项所述之装置,其中该顶部为一介电板,且该中央导体嵌入该介电板之深度系可调变。14.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该腔体系为一柱状腔体。15.如申请专利范围第14项所述之装置,其中该腔体系以一玻璃板分隔该谐振腔部份与真空腔部份。16.如申请专利范围第15项所述之装置,其中该玻璃板系平行该柱状腔体之顶部。17.如申请专利范围第15项所述之装置,其中该真空腔部份尚包括有:一阳离子筛网,平行该玻璃板,并与该玻璃板保持一固定距离,用以过滤该电浆中的带电粒子;以及一载物台,位于该阳离子筛网下方,平行该阳离子筛网,用以承载一晶圆。18.如申请专利范围第17项所述之装置,其中该阳离子筛网的面积与玻璃板的面积相等。19.如申请专利范围第17项所述之装置,其中该柱状腔体位于该玻璃板与阳离子筛网间之壁面上,至少包括一气体入口,并以一气体控制阀控制用以产生该电浆所需之气体。20.如申请专利范围第17项所述之装置,其中该载物台边缘与该柱状腔体之壁面保持等距离间隙。21.如申请专利范围第15项所述之装置,其中该玻璃板是以耐热玻璃(pyrex)制成。22.如申请专利范围第15项所述之装置,其中该玻璃板是以石英玻璃制成。23.如申请专利范围第15项所述之装置,其中该玻璃板是以三氧化二铝制成。24.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该腔体之底部包括一抽气口。25.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该矩形导波管之末端具有一短路面,用以调整该微波之反射程度。26.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该矩形导波管系一平缓式转换器。27.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该矩形导波管系一缓变式波长转换器。28.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该同轴导波管系为圆形同轴导波管。29.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该腔体是以铝合金制成。30.一种利用单极天线激发表面微波电浆之装置,包括:一转接器,用以传递一微波;一柱状腔体,其顶部中央连接该同轴导波管,并接收该微波以产生一电浆,该柱状腔体包括:一介电板,位于该柱状腔体之顶部;一玻璃板,位于该柱状腔体内部,平行于该介电板,并将该柱状腔体分隔成上方之一谐振腔与下方之一真空腔;一阳离子筛网,位于该真空腔内,平行于该玻璃板;一载物台,位于该阳离子筛网下方,平行该阳离子筛网,用以承载一晶圆,及一底板,在该腔体底部。31.如申请专利范围第30项所述之装置,其中尚包括有复数支探针,嵌入于该介电板。32.如申请专利范围第31所述之装置,其中该探针系以该同轴导波管为中心而展开分布。33.如申请专利范围第31项所述之装置,其中该些探针与该同轴导波管形成一固定间距之格子状分布。34.如申请专利范围第33项所述之装置,其中该固定间距为6-8公分。35.如申请专利范围第34项所述之装置,其中该些探针之数目为24。36.如申请专利范围第31项所述之装置,其中该些探针嵌入该介电板之深度系可调变。37.如申请专利范围第30项所述之装置,其中该阳离子筛网的面积与该玻璃板的面积相等。38.如申请专利范围第30项所述之装置,其中该柱状腔体位于该玻璃板与该阳离子筛网间之壁面上,包括至少一气体入口,并以一气体控制阀控制用以产生该电浆所需之气体。39.如申请专利范围第30项所述之装置,其中该载物台与该柱状腔体之壁面保持等距离间隙。40.如申请专利范围第30项所述之装置,其中该玻璃板是以耐热玻璃(pyrex)制成。41.如申请专利范围第30项所述之装置,其中该玻璃板是以石英玻璃制成。42.如申请专利范围第30项所述之装置,其中该玻璃板是以三氧化二铝制成。43.如申请专利范围第30项所述之装置,其中该柱状腔体之底部包括一抽气口。44.如申请专利范围第30项所述之装置,其中该矩形导波管之末端具有一短路面。45.如申请专利范围第30项所述之装置,其中该矩形导波管系一平缓式转换器。46.如申请专利范围第30项所述之装置,其中该矩形导波管系一缓变式波长转换器。47.如申请专利范围第30项所述之装置,其中该同轴导波管系为圆形同轴导波管。48.如申请专利范围第30项所述之装置,其中该同轴导波管末端具有一中央导体,垂直嵌入该介电板中央形成一单极天线。49.如申请专利范围第48项所述之装置,其中该中央导体嵌入该介电板之深度系可调变。50.如申请专利范围第30项所述之装置,其中该介电板是以聚乙烯(PE)制成。51.如申请专利范围第30项所述之装置,其中该介电板是以聚丙烯(PP)制成。52.如申请专利范围第30项所述之装置,其中该介电板是以铁弗龙制成。53.如申请专利范围第30项所述之装置,其中该柱状腔体是以铝合金制成。54.如申请专利范围第30项所述之装置,其中该转接器,包括:一矩形导波管,用以接收一微波;以及一同轴导波管,连接该矩形导波管,用以传递该微波。图式简单说明:第一图绘示习知表面微波电浆产生器之结构剖面图;第二图a绘示习知微波电场强度在z方向的变化图;第二图b绘示习知微波电场强度在y方向的变化图;第三图绘示本创作一较佳实施例之利用单极天线激发表面微波电浆之装置立体图;第四图a绘示本创作较佳实施例之介电板与同轴导波管连接区域之结构上视图;第四图b绘示本创作较佳实施例之介电板与同轴导波管连接区域之结构剖面图;第五图a绘示乃传统利用产生表面微波电浆之装置在腔体内产生之电场强度分布图;以及第五图b绘示乃本创作利用单极天线激发表面微波电浆之装置在腔体内产生之电场强度分布图。 |
