防止在晶片侧导电凸块上残留助焊剂之覆晶封装方法

摘要

本发明系关于一种防止在晶片侧导电凸块上残留助焊剂之覆晶封装方法，主要是晶片上导电凸块在回焊炉内与基板预设的线路接点进行红外线回焊(IR reflow)接合时，藉控制助焊剂之沾附能力(Wettability)，从而抑制助焊剂在回焊期间之毛细现象，防止其沿着导电凸块表面攀升而聚集于晶片侧，造成晶片侧残留助焊剂而影响后续制程之可靠度(Reliability);具体的手段系令回焊炉内气体之含氧比例大于1000ppm，并控制助焊剂之固含物(Solid contents)比重介于40~75%间;又由于回焊炉内气体之含氧比例提升，对回焊炉中惰性气体(氮)纯度要求相对减少,而有助于降低制造成本。

主权项

1.一种防止在晶片侧导电凸块上残留助焊剂之覆晶封装方法,其包括有:一提高助焊剂固含物比重之步骤;一由晶片表面导电凸块沾附前述高固含物比重助焊剂之步骤;一将晶片翻面覆设于基板上之步骤;一对覆设晶片基板进行回焊作业之步骤。2.如申请专利范围第1项所述防止在晶片侧导电凸块上残留助焊剂之覆晶封装方法,该助焊剂的固含物比重为40~75%。3.如申请专利范围第1项所述防止在晶片侧导电凸块上残留助焊剂之覆晶封装方法,该晶片表面植设导电凸块系由比例为63/37的共晶锡铅凸块构成。4.如申请专利范围第1项所述防止在晶片侧导电凸块上残留助焊剂之覆晶封装方法,回焊作业步骤完成后不需经助焊剂清洗即进行一胶体注满于晶片与基板间空隙之下填胶(underfill)步骤。5.一种防止在晶片侧导电凸块上残留助焊剂之覆晶封装方法,其包括有:一由晶片表面导电凸块沾附助焊剂之步骤;一将晶片表面朝下覆设于基板上之步骤;一对覆设晶片基板进行回焊作业,并提高回焊作业环境中炉内气体含氧比例之步骤。6.如申请专利范围第5项所述防止在晶片侧导电凸块上残留助焊剂之覆晶封装方法,回焊作业中炉内气体含氧比例为高于1000ppm以上。7.如申请专利范围第5项所述防止在晶片侧导电凸块上残留助焊剂之覆晶封装方法,该晶片表面植设导电凸块系由比例为63/37的共晶锡铅凸块构成。8.如申请专利范围第5项所述防止在晶片侧导电凸块上残留助焊剂之覆晶封装方法,回焊作业步骤完成后不需经助焊剂清洗即进行一胶体注满于晶片与基板间空隙之下填胶(underfill)步骤。9.一种防止在晶片侧导电凸块上残留助焊剂之覆晶封装方法,其包括有:一提高助焊剂固含物比重之步骤;一由晶片表面导电凸块沾附前述高固含物比重助焊剂之步骤;一将晶片表面朝下覆设于基板上之步骤;一对覆设晶片基板进行回焊作业,并提高回焊作业环境气体中含氧比例之步骤。10.如申请专利范围第9项所述防止在晶片侧导电凸块上残留助焊剂之覆晶封装方法,该助焊剂的固含物比重为40~75%。11.如申请专利范围第9项所述防止在晶片侧导电凸块上残留助焊剂之覆晶封装方法,回焊作业中该炉内气体含氧比例高于1000ppm以上。12.如申请专利范围第9项所述防止在晶片侧导电凸块上残留助焊剂之覆晶封装方法,该晶片表面植设导电凸块系由比例为63/37的共晶锡铅凸块构成。13.如申请专利范围第9项所述防止在晶片侧导电凸块上残留助焊剂之覆晶封装方法,回焊作业步骤完成后不需经助焊剂清洗即进行一胶体注满于晶片与基板间空隙之下填胶(underfill)步骤。图式简单说明:第一图:系本发明完成回焊步骤后之结构剖视图。第二图A-第二图C:系回焊作业的流程示意图。第三图:系晶片完成回焊作业产生助焊剂残留之示意图。