| 主权项 |
1.一种增加偶合比的非挥发性记忆装置,包括:一基底;一复数隔离区,形成在该基底中;一第一导电层,形成在该基底与该复数隔离区上,该第一导电层的一对侧壁以垂直的方式形成在该复数隔离区的每一个上;以及一第二导电层,形成在该第一导电层上,该第二导电层以界面隔离该第一导电层以增加一表面积,进而增加偶合比。2.如申请专利范围第1项所述之增加偶合比的非挥发性记忆装置,再包括一内导电介电层,形成在该第一与该第二导电层中间。3.如申请专利范围第2项所述之增加偶合比的非挥发性记忆装置,其中在该内导电介电层内包括第一层与第二层的二氧化矽(SiO2)层,以及位在中间的一层氮化矽(Si3N4)层。4.如申请专利范围第1项所述之增加偶合比的非挥发性记忆装置,其中该第一导电层的垂直侧壁是藉由具有垂直侧壁的一介电罩幕而形成。5.如申请专利范围第1项所述之增加偶合比的非挥发性记忆装置,其中该第一导电层以及该第二导电层包括一多晶矽材质。6.如申请专利范围第1项所述之增加偶合比的非挥发性记忆装置,其中该第二导电层形成一控制闸电极。7.如申请专利范围第1项所述之增加偶合比的非挥发性记忆装置,其中藉由矽的区域氧化法(Local Oxidation, LOCOS)以形成该复数隔离区。8.如申请专利范围第3项所述之增加偶合比的非挥发性记忆装置,再包括一介电层,形成在该复数隔离区每一个之间的该基底上。9.一种形成增加偶合比的非挥发性记忆装置之方法,步骤包括:在一基底中形成一复数隔离区;在该基底与该复数隔离区上形成一第一导电层,该第一导电层的一对侧壁以垂直的方式形成在该复数隔离区的每一个上;以及在该第一导电层上形成一第二导电层,该第二导电层以界面隔离该第一导电层以增加一表面积,进而增加偶合比。10.如申请专利范围第9项所述之形成增加偶合比的非挥发性记忆装置之方法,再包括在该第一与该第二导电层中间形成一内导电介电层的步骤。11.如申请专利范围第10项所述之形成增加偶合比的非挥发性记忆装置之方法,其中在该内导电介电层内包括第一层与第二层的二氧化矽(SiO2)层,以及位在中间的一层氮化矽(Si3N4)层。12.如申请专利范围第9项所述之形成增加偶合比的非挥发性记忆装置之方法,形成该第一导电层的步骤再包括形成一具有垂直侧壁的介电罩幕以形成该第一导电层的该垂直侧壁之步骤。13.如申请专利范围第9项所述之形成增加偶合比的非挥发性记忆装置之方法,其中该第一导电层以及该第二导电层包括一多晶矽材质。14.如申请专利范围第9项所述之形成增加偶合比的非挥发性记忆装置之方法,其中该第二导电层形成一控制闸电极。15.如申请专利范围第9项所述之形成增加偶合比的非挥发性记忆装置之方法,其中藉由矽的区域氧化法以形成该复数隔离区。16.如申请专利范围第11项所述之形成增加偶合比的非挥发性记忆装置之方法,再包括在该复数隔离区每一个之间的该基底上形成一介电层的步骤。图式简单说明:第一图系依据本发明,绘示一种增加电容面积的非挥发性记忆装置,其制造流程的第一步骤之俯视图;以及第二图至第六图系依据本发明的一实施例,沿着第一图的I'-I平面,绘示一种增加电容面积的非挥发性记忆装置之制造流程图。 |
