| 主权项 |
1.一种形成在半导体晶圆上之半导体元件的测试装置,其特征为包含有:载置台,系具有一用以载置半导体晶圆之载置面;接触器,系与该半导体晶圆接触,并在形成于半导体晶圆上之多数个半导体元件的各个电极,具有一总括地电接触之探针端子;可靠性测试机构,系用以测试该半导体元件之可靠性;电特性测试机构,系用以测试该半导体元件之电特性;及开关机构,系转换该可靠性测试机构及该电特性测试机构,俾将此等机构依次连接至跟载置在该载置台的半导体晶圆接触的该接触器。2.如申请专利范围第1项所述之测试装置,其特征在于:上述载置台,具有一将该半导体晶圆吸附于该载置面之吸附机构;该载置台及接触器之至少一个,具有气体供给机构,其系用以将不活性气体供给该接触跟半导体晶圆接触时所形成的上述接触器与半导体晶圆间之间隙。3.如申请专利范围第2项所述之测试装置,其特征在于:该载置台及该接触器之任一个,具有一密封构件,其系包围该接触器跟半导体晶圆接触时所形成之上述接触器与半导体晶圆间之间隙周围。4.如申请专利范围第1项所述之测试装置,其特征在于:上述接触器,具有一用来测定该半导体晶圆之温度的温度感测器。5.如申请专利范围第1项所述之测试装置,其特征在于:更包含有氧化膜除去机构,其系用以除去多数个半导体元件之电极表面所形成的氧化膜,此等半导体元件系形成在该半导体晶圆上。6.如申请专利范围第5项所述之测试装置,其特征在于:上述氧化膜除去机构,系为电浆处理装置。7.一种形成在半导体晶圆上之半导体元件的测试方法,包含有以下诸工程:将半导体晶圆载置于该载置台;使具有探针端子之接触器接触于该半导体晶圆,其中该探针端子系总括地电接触于该半导体晶圆上所形成的多数个半导元件之各电极;透过接触于该半导体晶圆之该接触器,进行可靠性测试;及透过接触于该半导体晶圆之该接触器,进行电特性测试。8.如申请专利范围第7项所述之测试方法,其特征在于:在载置半导体晶圆于该载置台之工程前,实施用来除去多数个半导体元件之电极表面所形成的氧化膜之工程,其中该多数个半导体元件系形成在该半导体晶圆上。9.如申请专利范围第7项所述之测试方法,其特征在于:在载置半导体晶圆于该载置台之工程前,实施一藉着电浆处理而除去半导体元件之电极表面所成的氧化膜之工程,其中该多数个半导体元件系形成在该半导体晶圆上。10.如申请专利范围第7项所述之测试方法,其特征在于:在用来进行可靠性测试之工程、及用来进行电特性测试之工程的至少一个工程,将不活性气体供给该接触器与半导体晶圆间之间隙。图式简单说明:第一图为一构成图,显示本发明晶圆测试装置之一实施形态的要部。第二图系第一图所示之晶圆测试装置之试验及运送装置之斜视图。第三图A、第三图B及第三图C,为一说明图,系用以说明晶圆与接触器之位置对准的动作。第四图为一方块图,系显示第一图所示之晶圆测试装置之控制系。第五图A系关于位置对准的,晶圆上之晶片的配置图。第五图B系放大显示之一晶片之平面图。第六图为一平面图,系显示本发明晶圆测试装置之其化实施形态。第七图为一断面图,系显示第六图之电浆处理室之概念。第八图为一平面,系显示本发明晶圆测试置之又另一实施形态。 |
