| 主权项 |
1.一种修正基质之薄膜形成面的方法,其步骤包括:在形成一绝缘薄膜于该基质之薄膜形成面上前,利用至少一种选自氨气、联氨、胺类所构成族群之成员的气体及其液体与一预定形成一薄膜于其上之基质的薄膜形成面接触来修正该基质的薄膜形成面。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基质之薄膜形成面的表面形成有至少一氧化矽薄膜和氮化矽薄膜。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该基质之薄膜形成面的表面除形成有至少一该氧化矽薄膜和该氮化矽薄膜外,更形成有至少一半导体以及复数个导线。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该氧化矽薄膜是利用热氧化法、热CVD法或电浆加强式CVD法形成。5.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该氧化矽薄膜是利用热氧化法、热CVD法或电浆加强式CVD法形成。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该胺类具有化学式NRnH3-n,其中R是有机基。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该胺类化合物具有化学式RNH2,其中R是有机基。8.一种制造半导体装置之方法,其步骤包括:利用至少一种选自氨气、联氨、胺类所构成族群之成员的气体及其液体与一预定形成一薄膜于其上之基质的薄膜形成面接触来改良该基质的薄膜形成面;以及形成一绝缘膜于该基质的薄膜形成面上。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该绝缘膜是一含矽的绝缘膜,其系利用含有臭氧以及四乙基邻矽酸盐(TEOS)之混合气体作为反应气体之热CVD法形成。图式简单说明:第一图是习知一种半导体元件之剖面图,其中高O3/TEOS CVD SiO2薄膜是在基质之薄膜形成面修正前先形成;第二图A-第二图D是剖面图,其显示的是习知一种修正基质的薄膜形成面之方法;第三图A-第三图C是剖面图,其显示的是一根据本发明之实施例,用以修正一基质的薄膜形成面之方法。第四图A-第四图E其显示的是根据本发明之实施例,用以修正基质的薄膜形成面之方法的原理。第五图显示的是本发明之第一实施例的剖面图,其中此用以修正本发明之基质的表面形成之方法是被施行于一具有导线之基质的薄膜形成面;第六图显示的是本发明之第二实施例的剖面图,其中此用以修正本发明之基质的表面形成面之方法是被施行于一具有沟渠之基质的薄膜形成面;第七图是剖面图,其显示的则是第六图之比较例;第八图A和第八图B是侧视图,其显示的是在本发明之实施例中用以修正基质的薄膜形成面之修正处理系统;第九图是侧视图,其显示的是在本发明之实施例中用以修正基质的薄膜形成面之冷壁式(cold wall type)修正处理/薄膜形成装置;第十图A和第十图B是侧视图,且每一个均显示在本发明之实施例中用以修正基质的薄膜形成面之热壁式(hot wall type)修正处理/薄膜形成装置。其中,第十图A显示的是一水平系统,而第十图B显示的侧是一垂直系统。 |
