| 主权项 |
1.一种形成金属内连线的方法,至少包含:提供一半导体底材;形成一第一金属层于部份的该半导体底材上;形成一第一介电层于该半导体底材与该第一金属层上;形成一阻障层于该第一介电层上;形成一光阻层在该阻障层上且覆盖部份的该阻障层,其中该第一光阻层具有一第一光阻图案以在该第一金属层形成渠沟区域,亦具有一第二光阻图案以形成一蚀刻中止区域;透过该第一光阻层以蚀刻该阻障层;沉积一第二介电层于该阻障层与该第一介电层上,并完全覆盖该阻障层与该第一介电层;形成一第二光阻层于部份的该第二介电层,该第二光阻层具有该第一光阻图案,大致位于该第一光阻的该第一光阻图案上方,亦具有该第二光阻图案,大致位于该第一光阻的该第二光阻图案上方;藉该第二光阻层以蚀刻该第二介电层,且蚀刻位于该第一金属层之上的该第一介电层,该蚀刻是藉该第一光阻的该第一光阻图案而成,以形成一渠沟在该第一介电层与该第二介电层内;形成一阻障层于该第一介电层与该第二介电层形成的该渠沟内。形成一晶种层(Seed Layer)于该第一介电层与该第二介电层形成的该渠沟内;以一第二金属填满该第一介电层与该第二介电层形成的该渠沟;及平坦化该第二金属的表面以曝露出该第二介电层的表面,藉此双镶嵌法以形成金属内连线结构。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一光阻层之一厚度约介于5000与15000埃。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二光阻层之一厚度约介于5000与15000埃。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一介电层具有介电常数介于2.6到2.8,且该第一介电层的一厚度约介于4000与12000埃。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二介电层具有介电常数介于2.6到2.8,且该第二介电层的一厚度约介于4000与12000埃。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述阻障层至少包含氮化钽。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该晶种层至少包含铜合金。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该晶种层至少包含铜铝合金。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二金属至少包含铜合金。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二金属至少包含铝铜合金。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述平坦化该第二金属至少包含化学机械研磨法。12.一种形成金属内连线的方法,至少包含:提供一半导体底材;形成一第一金属层于部份的该半导体底材上;形成一第一介电层于该半导体底材与该第一金属层上;形成一氮化钽层于该第一介电层上;形成一光阻层在该氮化钽层上且覆盖部份的该阻障层,其中该第一光阻层具有一第一光阻图案以在该第一金属层形成渠沟区域,亦具有一第二光阻图案以形成一蚀刻中止区域;透过该第一光阻层以蚀刻该阻障层;沉积一第二介电层于该阻障层与该第一介电层上,并完全覆盖该阻障层与该第一介电层;形成一第二光阻层于部份的该第二介电层,该第二光阻层具有该第一光阻图案,大致位于该第一光阻的该第一光阻图案上方,亦具有该第二光阻图案,大致位于该第一光阻的该第二光阻图案上方;藉该第二光阻层以蚀刻该第二介电层,且蚀刻位于该第一金属层之上的该第一介电层,该蚀刻是藉该第一光阻的该第一光阻图案而成,以形成一渠沟在该第一介电层与该第二介电层内;形成该氮化钽层于该第一介电层与该第二介电层形成的该渠沟内;形成一晶种层(Seed Layer)于该第一介电层与该第二介电层形成的该渠沟内;以一第二金属填满该第一介电层与该第二介电层形成的该渠沟;及平坦化该第二金属的表面以曝露出该第二介电层的表面,藉此双镶嵌法以形成金属内连线结构。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第一光阻层之一厚度约介于5000与15000埃。14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第二光阻层之一厚度约介于5000与15000埃。15.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第一介电层具有介电常数介于2.6到2.8,且该第一介电层的一厚度约介于4000与12000埃。16.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第二介电层具有介电常数介于2.6到2.8,且该第二介电层的一厚度约介于4000与12000埃。17.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该晶种层至少包含铜合金。18.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该晶种层至少包含铜铝合金。19.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第二金属至少包含铜合金。20.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第二金属至少包含铜铝合金。21.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述平坦化该第二金属至少包含化学机械研磨法。图式简单说明:第一图A到第一图D为传统的制程示意图;及第二图A到第二图H为本发明实施例图。 |
