| 摘要 |
<p>Cette invention se rapporte à un procédé servant à former un mince film de métal, par exemple de cuivre ou d'argent, sur un substrat de semi-conducteur ou d'autre matériau, ce procédé consistant à créer une dispersion d'un composé organique de métal dans un solvant prédéterminé, à appliquer cette dispersion sur la surface d'un substrat et à évaporer ensuite le solvant, pour former une couche de revêtement, puis à exposer la couche de revêtement à un faisceau d'énergie, en vue d'éliminer la substance organique par décomposition, pour que le métal contenu dans la couche de revêtement puisse se combiner. Grâce à ce procédé, on peut obtenir de façon efficace un mince film de métal de grande qualité. Un tel film peut être avantageusement utilisé pour des interconnexions métalliques dans l'intégration à grande échelle d'un dispositif à semi-conducteur.</p> |
