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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Zweischichten-Kontaktstückes für Hochvakuumleistungsschalter
摘要
申请公布号 CH515599(A) 申请公布日期 1971.11.15
申请号 CH19700018512 申请日期 1970.12.14
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 NAT. HAESSLER,HEINRICH,DIPL.-PHYS. DR. RER.;DR. SCHREINER,HORST,PROF.
分类号 H01H1/02;(IPC1-7):H01H11/04 主分类号 H01H1/02
代理机构 代理人
主权项
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