| 摘要 |
<p>본 발명은 폴리사이드막을 플라즈마 식각방법에 의해 식각할 때, 폴리실리콘막에 대한 금속 실리사이드막의 식각선택비를 증가시킬 수 있는 식각방법을 제공한다. 본 발명은 식각 챔버에 플라즈마 소스 전원을 인가하고 금속 실리사이드막을 플라즈마 식각하되, 기판에 바이어스 전원을 인가함으로써, 식각가스의 이온들을 가속시켜 금속 실리사이드막을 식각하는 단계와, 플라즈마 소스 전원은 계속 인가하고 기판에 인가되었던 바이어스 전원은 인가하지 않거나 식각가스 이온들이 가속되지 않는 범위 내의 전력만을 인가함으로써, 식각가스가 금속 실리사이드막에는 화학적으로 흡착되고, 노출된 폴리실리콘막은 산화시키도록 하는 단계를 반복함으로써 이루어진다. 본 발명에 따르면, 폴리사이드막의 플라즈마 식각시 바이어스 전원을 변조시켜 노출된 폴리실리콘막 상에만 선택적으로 식각방지막을 형성함으로써, 폴리실리콘막에 대한 금속 실리사이드막의 식각선택비를 증가시킬 수 있다. 따라서, 폴리사이드막의 식각시 폴리실리콘막의 이상 식각에 따른 기판 손상을 막을 수 있어 반도체 소자의 신뢰성을 높일 수 있다.</p> |
