Kondensator für Halbleiterspeicherbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Die Erfindung betrifft einen Kondensator für ein Halbleiterspeicherbauelement mit großer Speicherkapazität und geringem Leckstrom sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. Gemäß der Erfindung wird eine untere Elektrode auf einem Halbleitersubstrat ausgebildet. Die untere Elektrode wird oberflächenbehandelt, um die Bildung einer natürlichen Oxidschicht zu unterbinden. Als dielektrische Schicht wird eine amorphe TaON-Schicht auf der Oberseite der unteren Elektrode abgeschieden. Anschließend wird die amorphe TaON-Schicht unter Bedingungen wärmebehandelt, so dass ihr amorpher Zustand beibehalten werden kann. Anschließend wird auf dem oberen Teil der TaON-Schicht eine obere Elektrode ausgebildet.