| 主权项 |
1.一种程式化一反及闸型EEPROM的方法,包括以下步骤:a)将资料写入该EEPROM中的记忆胞内;b)根据该些记忆胞启始电压分布,定义每一记忆胞为不足,超出或是正常;c)当该些记忆胞中任一记忆胞被定义为不足的记忆胞时,用额外的写入操作修改该记忆胞直到预定的资料被写入在该不足的记忆胞中;以及d)当任一该记忆胞被定义为超出的记忆胞,用额外的抹除方法修改该记忆胞直到预定的资料被写入在该超出的记忆胞中。2.如申请专利范围第1项所述程式化一反及闸型EEPROM之方法,其中该反及闸型EEPROM有储存多阶资料的能力。3.如申请专利范围第2项所述程式化一反及闸型EEPROM之方法,其中该多阶资料包括至少四个电压位准,如0,1,2和3。4.如申请专利范围第1项所述程式化一反及闸型EEPROM之方法,其中该不足记忆胞是定义成有较正常启始电压为低的启始电压。5.如申请专利范围第1项所述程式化一反及闸型EEPROM之方法,其中该超出记忆胞是定义成有较正常启始电压为高的启始电压。6.一种将多阶资料写入反及闸型EEPROM的系统,包括:a)一第一电路,用以将资料写入该反及闸型EEPROM记忆胞;b)一第二电路,用以根据该记忆胞启始电压分布定义该记忆胞为不足,超出或是正常;c)当发现任一该记忆胞形式为不足时,能将该记忆胞以额外的写入电路修改该记忆胞直到该多阶资料以预定的层级被写入在该不足的记忆胞中;以及d)当发现任一该记忆胞形式为超出时,能将该记忆胞以额外的抹除电路修改该记忆胞直到该多阶资料以预定的层级被写入在该超出的记忆胞中。7.如申请专利范围第6项所述将多阶资料写入反及闸型EEPROM的系统,其中该反及闸型EEPROM有可以储存至少四层级的多阶资料的能力。8.如申请专利范围第6项所述将多阶资料写入反及闸型EEPROM的系统,其中该不足记忆胞是定义成有较正常启始电压为低的启始电压。9.如申请专利范围第6项所述将多阶资料写入反及闸型EEPROM的系统,其中该超出记忆胞是定义成有较正常启始电压为高的启始电压。10.如申请专利范围第6项所述将多阶资料写入反及闸型EEPROM的系统,其中该第二电路可能分别被区分为为了验证不足或超出之记忆胞的第三第四电路。11.如申请专利范围第10项所述将多阶资料写入反及闸型EEPROM的系统,其中该第三电路可以与该额外的写入电路相结合。12.如申请专利范围第10项所述将多阶资料写入反及闸型EEPROM的系统,其中该第四电路可以与该额外的抹除电路相结合。图式简单说明:第一图绘示的是一种拥有多阶储存资料的反及闸式记忆胞阵列;第二图a绘示的是根据本发明所述,"不足"启始电压的区域;第二图b绘示的是根据本发明所述,"超出"启始电压的区域;第三图绘示的是根据本发明之一种记忆胞验证与补偿程序;第四图绘示的是根据本发明的另外一种记忆胞验证与补偿程序;第五图绘示的是根据本发明画出之图形第二图a与第二图b所绘出的一个多阶"写入/程式验证"控制闸波形(Vp)与相对应的数目对启始电压分布(V)图;第六图绘示的是根据本发明得到,如第五图对于不足记忆胞的验证程序结果;第七图绘示的是根据本发明得到,如第五图对于超出记忆胞的验证程序结果;以及第八图绘示的是根据本发明得到,如第五图对于正常记忆胞的验证程序结果。 |
