| 主权项 |
1.一种用于扫瞄光学影像并将之转换成电气信号的彩色影像感测器,包括:一个红色光电二极体,包含一P-型半导体层以及一个位于P-型半导体层表面底下的第一N-型扩散区因此形成一定位在P-型半导体层表面底下的第一空乏区;一个红色光电二极体,包含一P-型半导体层以及一个位于P-型半导体层表面底下的第二N-型扩散区此形成一定位在P-型半导体层表面底下的第二空乏区,其中第二空乏区比第一空乏区更接近P-型半导体层表面;以及一个红色光电二极体,包含一P-型半导体层以及一个位于P-型半导全层表面底下的第三N-型扩散区因此形成一定位在P-型半导体层表面底下的第三空乏区,其中第三空乏区比第三空乏区更接近P-型半导体层表面。2.如申请专利范围第1项之彩色影像感测器,其中第二和第三空乏区系透过含有用于红色、绿色、和蓝色光电二极体之不同遮罩图案的离子植入遮罩并藉由一种杂质离子植入枝术而形成的。3.如申请专利范围第2项之彩色影像感测器,其中离子植入遮罩含:一第一遮罩区域,用于形成第一N-型扩散区;一第二遮罩区域,用于形成第二N-型扩散区,该第二遮罩区域含有许多第一屏障用图案因此减低了其杂质离子浓度;以及一第三遮罩区域,用于形成第三N-型扩散区,该第三遮罩区域含有几个第二屏障用图案因此其杂质离子浓度比第二遮罩区域减低了更多。4.如申请专利范围第3项之彩色影像感测器,其中第二屏障用图案的形状是与第一屏障用图案的形状完全相同,而第二屏障用图案的数目是与第一屏障用图案的数目更多。5.如申请专利范围第3项之彩色影像感测器,其中第一和第二屏障用图案都是呈方形的型式。6.如申请专利范围第3项之彩色影像感测器,其中第一和第二屏障用图案都是呈矩形的型式。7.如申请专利范围第3项之彩色影像感测器,其中第一和第二屏障用图案都是呈带状的型式。8.一种用于扫瞄光学影像并将之转换成电气信号的彩色影像感测器的方法,包括的步骤有:(a)于基板上形成一个P-型半导体层;(b)于P-型半导体层上形成场氧化层以定义出供红色、绿色、以及蓝色光电二极体使用的区域;(c)提供一含有红色、绿色、以及蓝色光电二极体使用之不同遮罩图案的离子植入遮罩;(d)透过使用离子植入遮罩将各杂离子植入至P-型半导体层内以便于P-型半导体层内形成各N-型扩散区;以及(e)对所得到的结构施行热处理方法以形成对应到红色、绿色、和蓝色光电二极体而不同的第一、第二、和第三空乏区。9.如申请专利范围第8项之方法,其中第二空乏区比第一空乏区更接近其P-型磊晶层表面而第三空乏区比第二空乏区更接近其P-型磊晶层表面。10.如申请专利范围第8项之方法,其中步骤(c)中所含的离子植入遮罩包含:一第一遮罩区域,用于形成第一N-型扩散区;一第二遮罩区域,用于形成第二N-型扩散区,此第二遮罩区含有复数之第一屏障用图案因此减低了其杂质离子浓度;以及一第三遮罩区域,用于形成第三N-型扩散区,此第三遮罩区含有若干第二屏障用图案因此其杂质离子浓度比第二遮罩区减低了更多。11.如申请专利范围第10项之方法,其中第二屏障用图案的形状是与第一屏障用图案的形状完全相同,而第二屏障用图案的数目是与第一屏障用图案的数目更多。12.如申请专利范围第10项之方法,其中第一和第二屏障用图案都是呈方形的型式。13.如申请专利范围第10项之方法,其中第一和第二屏障用图案都是呈矩形的型式。14.如申请专利范围第10项之方法,其中第一和第二屏障用图案都是呈带状的型式。图式简单说明:第一图系用显示习知影像感测器中之画案单位的电路图;第二图系用以描绘第一图中光电二极体的截面图示;第三图系用描绘习知彩色影像感测器的截面图示;第四图系用以描绘一对应到各种媒体内波长之吸收长度的曲线;第五图系用以描绘第三图中习知彩色影像感测器之光感测特征的曲线;第六图用以描绘根据本发明之彩色影像感测器的截面图示;以及第七图A和第七图B分别都是用以描绘用于第六图中光电二极体之离子植入遮罩的俯视图。 |
