| 主权项 |
1.一种减少矽层间之界面层电阻的方法,该方法至少包含:形成第一矽层于基材上;形成第二矽层于该第一矽层上;进行离子植入至第一矽层及第二矽层;及回火该基材,以使该界面层进行再结晶,其中该界面层系介于该第一矽层及该第二矽层之间。2.如申请专利利范围第1项之方法,其中上述之第二矽层至少包含半球型矽晶粒层。3.如申请专利利范围第1项之方法,其中上述之离子植入步骤的掺质至少包含磷离子。4.如申请专利利范围第1项之方法,其中上述之离子植入步骤的掺质浓度约在1E15至1E16atoms/cm2。5.如申请专利利范围第1项之方法,其中上述之回火步骤的温度约在800至1000℃。6.一种减少储存电极之接触电阻的方法,该方法至少包含:提供一基材,该基材至少包含一导电插塞以及一储存电极开口,该储存电极开口系位于该导电插塞之上;形成第一导电层于该储存电极开口的内部侧壁;形成半球型矽晶粒层于该第一导电层上;进行离子植入至第一导电层及半球型矽晶粒层;回火该基材;及形成第一介电层于该半球型矽晶粒层上。7.如申请专利利范围第6项之方法,其中上述之第一介电层至少包含氮氧氮(ONO)薄膜、氮氧化矽(NO)、五氧化二钽(Ta2O5)、二氧化钛(TiO2)、BST(Ba SiTiO3)、PZT(lead zirconate titanate)。8.如申请专利利范围第6项之方法,其中上述之离子植入步骤的掺质至少包含磷离子。9.如申请专利利范围第6项之方法,其中上述之离子植入步骤的掺质浓度约在1E15至1E16atoms/cm2。10.如申请专利利范围第1项之方法,其中上述之回火步骤的温度约在800至1000℃。11.一种去除界面层的方法,该界面层系介于半球型矽晶粒层及一导电插塞之间,该方法至少包含:提供一具有该导电插塞的基材;形成第一介电层于该基材及该导电插塞之上;移除部份该第一介电层,于该第一介电层内定义一储存电极开口,该储存电极开口位于该导电插塞之上;形成第一导电层于该储存电极开口的内部侧壁及该第一介电层上;形成该半球型矽晶粒层于该第一导电层上;进行离子植入至第一导电层及半球型矽晶粒层;回火该基材,以使该界面层进行再结晶;形成第二介电层于该半球型矽晶粒层上;及形成第二导电层于该第二介电层上。12.如申请专利利范围第11项之方法,其中上述之第一介电层至少包含氧化矽及氮化矽。13.如申请专利利范围第11项之方法,其中上述之第一介电层至少包含氮氧氮(ONO)薄膜、氮氧化矽(NO)、五氧二钽(Ta2O5)、二氧化钛(TiO2)、BST(Ba SiTiO3)、PZT(lead zirconate titanate)。14.如申请专利利范围第11项之方法,其中上述之导电插塞至少包含多晶矽及非晶矽层的其中之一。15.如申请专利利范围第11项之方法,其中上述之第一导电层至少包含掺杂多晶矽层的其中之一。16.如申请专利利范围第11项之方法,其中上述之半球型矽晶粒层的厚度约在500至1000埃之间。17.如申请专利利范围第11项之方法,其中上述之离子植入步骤的掺杂至少包含磷离子。18.如申请专利利范围第11项之方法,其中上述之离子植入步骤的掺质浓度约在1E15至1E16atoms/cm2。19.如申请专利利范围第11项之方法,其中上述之回火步骤的温度约在800至1000℃。20.如申请专利利范围第11项之方法,其中上述之离子植入及回火步骤可以减少该储存电极的接触电阻。图式简单说明:第一图为半导体基材的截面图,图中显示习知技术中形成一开口的情形;第二图为半导体基材的截面图,图中显示习知技术中形成电容器的情形;第三图为半导体基材的截面图,图中显示本发明中形成两个接触洞的情形;第四图为半导体基材的截面图,图中显示本发明对半球型矽晶粒及第一导电层进行离子植入的情形;第五图为半导体基材的截面图,图中显示本发明中形成电容器后的情形。 |
