| 主权项 |
1.一种薄膜厚度标准,其包含一层在一半导体基板上之具有厚度超过1微米(m)的氧化膜,其中该氧化膜的均匀性系维持在对于该氧化膜的整体厚度之0.3%的偏差量之内。2.如申请专利范围第1项之薄膜厚度标准,其中该半导体基板系一种矽基板。3.如申请专利范围第1项之薄膜厚度标准,其中该氧化膜系一种藉由使用电浆所形成之电浆增强型氧化膜(PE-OX)。4.如申请专利范围第1项之薄膜厚度标准,其中该氧化膜系一种四乙基正矽酸薄膜(O3-TEOS)。5.如申请专利范围第1项之薄膜厚度标准,其中被指定当作该氧化膜之厚度的厚度値具有一定型式的连续性。6.如申请专利范围第5项之薄膜厚度标准,其中该一定型式的连续性被显示如同在一平面座标上的一种线性函数。7.如申请专利范围第1项之薄膜厚度标准,其中该氧化膜被形成具有1.1微米(m)到1.3微米、2.3微米到2.5微米、3.2微米到3.4微米、4.3微米到4.5微米以及5.1微米到5.3微米等等的厚度。8.如申请专利范围第1项之薄膜厚度标准,其中该氧化膜最好被形成具有1.2微米(m)、2.4微米、3.3微米、4.4微米以及5.2微米等等的厚度。9.一种备制半导体元件之氧化膜厚度标准参考的方法,其中该方法系在相同的制程条件下藉由重复及连续地实施该氧化膜的形成过程而实施,藉以形成具有厚度超过一定値的该氧化膜于一半导体基板之上。10.如申请专利范围第9项之备制半导体元件之氧化膜厚度标准参考的方法,其中该氧化膜系藉由实施电浆增强型氧化制程而被形成。11.如申请专利范围第10项之备制半导体元件之氧化膜厚度标准参考的方法,其中该电浆增强型氧化制程系藉由设定该氧化膜的厚度为4000埃()来实施。12.如申请专利范围第10项之备制半导体元件之氧化膜厚度标准参考的方法,其中该电浆增强型氧化制程系藉由供应95公升/分钟的SiH4和1800公升/分钟的N2O气体来实施。13.如申请专利范围第10项之备制半导体元件之氧化膜厚度标准参考的方法,其中该电浆增强型氧化制程系实施于400℃的温度时。14.如申请专利范围第10项之备制半导体元件之氧化膜厚度标准参考的方法,其中该电浆增强型氧化制程系以2.9托尔(Torr)的压力来实施。15.如申请专利范围第9项之备制半导体元件之氧化膜厚度标准参考的方法,其中该氧化膜的厚度系超过1微米(m)。16.如申请专利范围第9项之备制半导体元件之氧化膜厚度标准参考的方法,其中该氧化膜的厚度具有一定型式的连续性。17.一种备制半导体元件之氧化膜厚度标准参考的方法,其包含步骤:a)对于藉由各种方法所形成之氧化膜的特性实施测试;b)藉由该a)步骤之测试结果当作该厚度标准参考来决定用于该氧化膜之形成的制程条件;c)对于用于氧化膜之形成的制程条件来设定该氧化膜的厚度之标准値;d)藉由所设定之标准値来形成该氧化膜;以及e)分析藉由该d)步骤所形成之该氧化膜的特性。图式简单说明:第一图系一个显示依照本发明之半导体元件的氧化膜厚度标准参考之横断面图;第二图系一个显示依照本发明之半导体元件的氧化膜厚度标准参考之制造方法的流程图;以及第三图系一个显示依照第二图之氧化膜的标准値之图表。 |
