| 摘要 |
Eljárás szemcseorientált transzformátor lemezelőállításához, amelynél egy acél olvadékát (tömeg %-ban)összeolvasztják 2,5-tdl 4,0% Si, 0,01-től 0,10% C, 0,30% Cu, 0,15% Mn,0,060% S, 0,065% Al, 0,015% N, 0,10% P elemekkel, valamint adottesetben kiegészítőleg egy-egy, 0,2 tömeg %-ig mennyiségű egy, vagytöbb As, Sn, Sb és Bi elemmel és maradékként Fe, valamintelkerülhetetlen szennyeződésekkel. Az olvadékot folyamatosan 25 mm-től100 mm vastagságú szalaggá leöntjük, amit a dermedés folyamán 700°Cfeletti hőmérsékletre lehűtenek és közvetlenül ehhez csatlakozóanvékony bugákra felosztanak. Ezeket a vékony bugákat azután egy sorbanlevő kiegyenlítő kemencén vezetik keresztül, amelyben azokat 1170°Chőmérsékletre melegítik fel, amelynél az ezen a hőmérsékleten valótartózkodásuk legfeljebb 60 perc lehet. A vékony bugákat azután egysorban levő többállványos meleghengerlő soron folyamatosan 0,5-3,0 mmvastag melegen hengerelt szalaggá hengerelik, ahol az első átalakítóáteresztést hengerelt anyag 1150 °C hőmérsékletén végezik és ezlegalább 20%-os alakítással történik. Ezután a melegen hengereltszalagot felcsévélik. A következőkben ezt a melegen hengerelt szalagotegy vagy több fokozatban, újra kristályosító közbülső izzítással 0,15-0,50 vastagságú végméretre hidegen hengerelik. A hidegen hengereltszalagot ezután újra kristályosítva és széntelenítve izzítják éstúlnyomórészt MgO tartalmú hűtőközeggel kezelik és ezután egymeghatározott textúra elérése céljából véglegesen lehűtik majd avéglegesen lehűtött, hidegen hengerelt szalagot villamos szigetelőréteggel látják el és feszültségmentesítés céljából izzítják. Ó |
