发明名称 开关式电源等之平滑电路
摘要 本发明系拟提供一种用以串联于等值内电阻为小之电容器之电阻值极小之廉价电阻体。为此,以图l为参考,于组合电抗器(Reactor)5和内电阻为小之电容器6所形成之开关式电源等之平滑电路中,予以构成为具备串联于电容器6并由输出电压而会接通之MOSFET8,且由MOSFET8之动态电阻( on resistance)来补偿电容器6之等值内电阻之结构。
申请公布号 TW434987 申请公布日期 2001.05.16
申请号 TW087117773 申请日期 1998.11.10
申请人 富士电机股份有限公司 发明人 植木浩一
分类号 H02M3/28 主分类号 H02M3/28
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种开关式电源等之平滑电路,主要组合电抗器和等値(等效)内电阻为小之电容器,其特征为:具备有与前述电容器成串联且由输出电压而接通之MOSFET(金属氧化物半导体场效电晶体),而由该MOSFET之动态电阻(no resistance)来补偿前述电容器之等値内电阻。2.一种开关式电源等之平滑电路,主要组合电抗器和伴随着周围温度而会减少等値内电値之电容器,其特征为:具备有与前述电容器成串联且由输出电压而接通之MOSFET,而以伴随着该MOSFET之周围温度之上升而所增加之动态电阻来补偿前述电容器之等値内电阻。3.一种开关式电源等之平滑电路,主要组合组合电抗器和半随着周围温度而会减少等値内电阻之第1电容器及等値内电阻为小之第2电容器,其特征为:具备有分割输出电压用之互成串联之热阻体及电阻,和串联于前述第2电容器且由前述热阻体及电阻所分割之电压而接通之MOSFET,而以伴随着前述热阻体之周围温度之上升而降低由热阻体及电阻所分割之电压,由而使前述MOSFET之动态电阻予以增加,以补偿前述第1及第2之电容器之合成等値内电阻。4.如申请专利范围第1或2项之开关式电源等之平滑电路,其中具备有:在前述输出端子间,具有连接电池成相反极性于输出端子间之时,可阻止励磁(磁化)电流的二极体及继电器线圈之串联体;可由前述继电器线圈之励磁来连接前述电容器和输出端子间之继电器接点;被连接于前述MOSFET之汲极,源极间之电阻;及被串联于前述MOSFET之闸极的电阻。5.如申请专利范围第1或2项之开关式电源等之平滑电路,其中具备有侦测所施加于输出端子间之过电压用之机构,并在侦测过电压时,就以该过电压侦测机构之输出来前述MOSFET之闸极成断路,以令前述电容器从输出端子隔开。6.如申请专利范围第4项之开关式电源等之平滑电路,其中具备有由开关式电源启动信号而被励磁之第2继电器,并串联该第2继电器被励磁时会形成接通之接点于前述二极体及继电器线圈之串联体。图式简单说明:第一图系显示本发明之第1实施例的连接图。第二图系显示本发明之第2实施例的连接图。第三图系显示本发明之第3实施例的连接图。第四图系显示本发明之第4实施例的连接图。第五图系显示本发明之第5实施例的连接图。第六图系显示本发明之第6实施例的连接图。第七图系显示第六图动作的时间图。第八图系显示习知之实施例的连接图。第九图系显示习知之另一实施例的连接图。第十图系显示习知之再另一实施例的连接图。
地址 日本