| 主权项 |
1.一种金属内连线之介电层之制造方法,该方法包括:在一矽基材上面形成一第一介电材料层;在该第一介电材料层上面形成一氮氧化矽渐层,其中该氮氧化矽渐层上层部份为一富氮化矽性质的一氮氧化矽薄膜,而其下层部份则为一富氧化矽性质的一氮氧化矽薄膜;在该氮氧化矽渐层上面形成一第二介电材料层;以该氮氧化矽渐层为蚀刻终止层,在该第二介电材料层中形成一渠沟线;去除部份的该氮氧化矽渐层与部份的该第一介电材料层;在该渠沟线下方之该氮氧化矽渐层与该第一介电材料层中形成一介层窗;以及填塞一导电材料于该介层窗与该渠沟线。2.如申请专利范围第1项所述之金属内连线之介电层之制造方法,其中该第一介电材料层为一低介电常数材料。3.如申请专利范围第1项所述之金属内连线之介电层之制造方法,其中该第一介电材料层包括一层二氧化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之金属内连线之介电层之制造方法,其中该第一介电材料层之形成方法包括化学气相沈积法。5.如申请专利范围第1项所述之金属内连线之介电层之制造方法,其中该氮氧化矽渐层之形成方法包括加强型电浆化学气相沈积法。6.如申请专利范围第5项所述之金属内连线之介电层之制造方法,其中该加强型电浆化学气相沈积法之制程中,所使用之一反应气体一氧化二氮之进料浓度变化为由高浓度逐渐降低至低浓度。7.如申请专利范围第1项所述之金属内连线之介电层之制造方法,其中该第二介电材料层包括一低介电常数材料。8如申请专利范围第1项所述之金属内连线之介电层之制造方法,其中该第二介电材料层包括一二氧化矽层。9.如申请专利范围第1项所述之金属内连线之介电层之制造方法,其中该第二介电材料层之形成方法包括化学气相沈积法。10.如申请专利范围第1项所述之金属内连线之介电层之制造方法,其中该介电层窗之形成方法包括微影及蚀刻制程去除部份的该氮氧化矽渐层及该第一氧化矽层。11.如申请专利范围第1项所述之金属内连线之介电层之制造方法,其中该导电材料层包括一金属铜层。12.一种双重金属镶嵌制程之方法包括:在一矽基材上面形成一第一低介电常数材料层;在该第一低介电常数材料层上面形成一具有低介电常数材料之蚀刻终止层;在该蚀刻终止层上面形成一第二低介电常数材料层;在该第二低介电常数材料层上面定义一渠沟线;在该蚀刻终止层及该第一低介电常数材料层中形成一介层窗,并使该介层窗位于该渠沟线下方;以及填塞一导电材料于该介层窗与该渠沟线。13.如申请专利范围第12项所述之双重金属镶嵌制程之方法,其中该具有低介电常数材料之蚀刻终止层为氮氧化矽渐层。14.如申请专利范围第13项所述之双重金属镶嵌制制程之方法,其中该氮氧化矽渐层之形成方法包括加强型电浆化学气相沈积法。15.如申请专利范围第14项所述之双重金属镶嵌制程之方法,其中该氮氧化矽渐层之上层部份为一富氮化矽性质的氮氧化矽渐层,而其下层部份则为一富氧化矽性质的氮氧化矽渐层。16.如申请专利范围第12项所述之双重金属镶嵌制程之方法,其中该第一低介电常数材料包括二氧化矽。17.如申请专利范围第12项所述之双重金属镶嵌制程之方法,其中该第二低介电常数材料包括二氧化矽。18.如申请专利范围第12项所述之双重金属镶嵌制程之方法,其中该介层窗之形成方法包括微影及蚀刻制程。19.一种蚀刻终止层之制造方法,该方法包括形成一氮氧化矽渐层,其中该氮氧化矽渐层之上层部份为一富氮化矽性质的氮氧化矽渐层,而其下层部份则为一富氧化矽性质的氮氧化矽渐层。20.如申请专利范围第19项所述之蚀刻终止层之制造方法,其中该氮氧化矽渐层之形成方式包括加强型电浆化学气相沈积法。21.如申请专利范围第20项所述之蚀刻终止层之制造方法,其中该加强型电浆化学气相沈积法包括使用一混合气体,该混合气体包括矽烷、一氧化二氮及氮气。22.如申请专利范围第21项所述之蚀刻终止层之制造方法,其中该一氧化二氮之进料浓度变化为由高浓度逐渐降低至低浓度。图式简单说明:第一图A及第一图B是按本发明之较佳实施例绘示以双重金属镶嵌制程制造内连线之方法之剖面略图。 |
