| 主权项 |
1.一种金属矽化物制程,适用于一矽材料,包括下列步骤:形成一第一金属层于该矽材料之表面;进行一离子混合布植,将杂质布植至该第一金属层中;形成一第二金属层于该第一金属层之表面;以及进行一热退火制程以于该矽材料表面形成一金属矽化物。2.如申请专利范围第1项所述之制程,其中,该第一金属层、该第二金属层系为金属钛层。3.如申请专利范围第1项所述之制程,其中,该杂质系为矽。4.如申请专利范围第1项所述之制程,其中,该金属矽化物系为矽化钛。5.如申请专利范围第3项所述之制程,其中,该离子混合布植之能量大体在15-40keV之间且其布植浓度在51013-11015atoms/cm2之间。6.如申请专利范围第2项所述之制程,其中,该第一金属层之厚度大体在80-200间,系由磁控直流溅镀法所形成。7.如申请专利范围第2项所述之制程,其中,该第二金属层之厚度大体在100-300间,系由磁控直流溅镀法所形成。8.一种两阶段性形成金属钛以形成金属矽化钛之制程,适用于一半导体矽基板,包括下列步骤:形成一金氧半电晶体于该半导体矽基板之表面,其中该金氧半电晶体包括一闸极、一源极、与一汲极;形成一第一金属钛属于该半导体矽基板之表面;以矽杂质进行离子混合布植至该第一金属钛层中;形成一第二金属钛层于该第一金属钛层之表面;进行一第一快速热退火制程以于该闸极、该源极、与该汲极表面形成一金属矽化钛;选择性地移除残留的该第一、第二金属钛层;以及进行一第二快速热退火制程。9.如申请专利范围第8项所述之制程,其中,该第一金属钛层之厚度介于80-200间,系由磁控直流溅镀法所形成。10.如申请专利范围第9项所述之制程,其中,该杂质矽之布植浓度在51013-11015atoms/cm2之间,且其布植能量在15-40keV之间。11.如申请专利范围第10项所述之制程,其中,该第二金属钛层之厚度介于100-300间,系由磁控直流溅镀法所形成。12.如申请专利范围第11项所述之制程,其中,该第一快速热退火之温度系控制在650-750℃间的环境中进行,为时大体20-50秒。13.如申请专利范围第12项所述之制程,其中,系为以氟化碳为反应气体,利用活性离子蚀刻法,进行选择性的蚀刻步骤,以蚀刻未参与反应之该第一、第二金属钛层。14.如申请专利范围第13项所述之制程,其中,该第二快速热退火之温度系控制在850-950℃间的环境中进行,为时大体15-45秒。图式简单说明:第一图A-第一图C系显示习知之应用于MOS电晶体之两阶段性的金属矽化过程之流程剖面图;以及第二图A-第二图D系显示依据本发明之应用于MOS电晶体之两阶段性形成金属钛以形成金属矽化物之流程剖面图。 |
