| 主权项 |
1.一种隔离结构的制造方法,至少包含下列步骤:提供一基底;在该基底中形成一第一p井区;在该基底上形成两场氧化区,其中该些场氧化区之间有一定的间隔距离,且部份位在第一p井区中;在该第一p井区中形成一第二p井区,其中该第二p井区位在该基底上,且实质上包围并邻接该第一p井区中的该些场氧化区;在该些场氧化区之间,且在该基底中形成一沟渠隔离,其中该沟渠隔离实质上深于该第二p井区;以及在该基底中形成一第三p井区实质上包围并邻接该第一p井区中的该沟渠隔离。2.如申请专利范围第1项所述之隔离结构的制造方法,其中该第一p井区系以植入第一p型离子的方式来形成。3.如申请专利范围第2项所述之隔离结构的制造方法,更至少包含进行一趋入(drive-in)步骤,用以将植入的第一p型离子活化。4.如申请专利范围第3项所述之隔离结构的制造方法,其中该趋入步骤的实施温度约为900度至1050度之间。5.如申请专利范围第1项所述之隔离结构的制造方法,其中该第一p井区的离子浓度约为2E15至5E16cm-3之间。6.如申请专利范围第1项所述之隔离结构的制造方法,其中第二p井区系以下列步骤来形成:在该基底上形成一图案化的氧化矽层;以该图案化的氮化矽层为罩幕,进行离子植入,以将第二P型离子植入到该第一p井区中;以及移除该图案化的氮化矽层。7.如申请专利范围第6项所述之隔离结构的制造方法,其中在形成该图案化的氮化矽层之前,先在该基底上形成一垫氧化层。8.如申请专利范围第7项所述之隔离结构的制造方法,其中在植入该第二p型离子之后,且在将该图案化的氮化矽层移除之前,更至少包含进行一湿式氧化步骤,以形成上述场氧化区。9.如申请专利范围第1项所述之隔离结构的制造方法,其中该第二p井区的离度约为8E15至5E17㎝-3。10.如申请专利范围第1项所述之隔离结构的制造方法,其中在第三p井区形成之后,更至少包含进行一回火步骤。11.如申请专利范围第10项所述之隔离结构的制造方法,其中该回火步骤的温度约为摄氏850度至950度。12.如申请专利范围第1项所述之隔离结构的制造方法,其中该第三p营区的离子浓度约为6E16至8E17㎝-3。13.一种用以隔离高压电元件和低电压元件之隔离结构的制造方法,至少包含下列步骤:提供一基底;在该基底中形成一第一井区,用以隔离高电压元件;在该基底上形成两个场氧化区,其中该场氧化区之间有一定的间隔距离,且部份位在该第一井区中;在该第一井区中形成一第二井区,其中该第二井区位在该基底上,且实质上包围并邻接该第一井区中的该些场氧化区;在该些场氧化区之间,且在该基底中形成一沟渠隔离,其中该沟渠隔离实质上深于该第二井区;以及在该基底中形成一第三井区实质上包围并邻接该第一井区中的该沟渠隔离,其中该第三井区和该第二井区共同视为一个用以隔离低电压元件的井区。14.如申请专利范围第13项所述之隔离结构的制造方法,其中该第一井区的离子浓度约为2E15至5E16㎝-3之间。15.如申请专利范围第13项所述之隔离结构的制造方法,其中第二井区系以下列步骤来形成:在该基底上形成一图案化的氮化矽层;以该图案化的氮化矽层为罩幕,进行离子植入,以将第二型离子植入到该第一井区中;以及移除该图案化的氮化矽层。16.如申请专利范围第15项所述之隔离结构的制造方法,其中在形成该图案化的氮化矽层之前,先在该基底上形成一垫氧化层。17.如申请专利范围第16项所述之隔离结构的制造方法,其中在植入该第二型离子之后,且在将该图案化的氮化矽层移除之前,更至少包含进行一湿式氧化步骤,以形成上述场氧化区。18.如申请专利范围第13项所述之隔离结构的制造方法,其中该第二井区的离子浓度约为8E15至5E17㎝-3。19.如申请专利范围第13项所述之隔离结构的制造方法,其中该第三井区的离子浓度约为6E16至8E17㎝-3。图式简单说明:第一图A至第一图K绘示根据本发明较佳实施例,一种隔离结构的制造方法流程示意图;第二图绘示另一种隔离结构的剖面示意图;以及第三图绘示又另一种隔离结构的剖面示意图。 |
