| 主权项 |
1.一种形成有机高分子电发光显示器之导线衬垫的方法,其步骤包括:(a)提供一表面形成有复数个透明电极之玻璃;(b)在每一个上述透明电极上形成一导线衬垫;(c)全面性地形成一有机高分子层,覆盖该玻璃和该些透明电极;以及(d)利用雷射去除上述导线衬垫表面之该有机高分子层,使得上述导线衬垫表面裸露出来。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该透明电极系由铟-锡氧化物(ITO)所构成。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该有机高分子层是发光有机高分子材料。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该导线衬垫是由导电性佳之金属所构成。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该导线衬垫是由金所构成。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(d)是利用配备有一罩幕的雷射机台完成,且该罩幕具有一对准该导线衬垫之开口,可使雷射通过并将该导线衬垫表面之该有机高分子层去除。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(d)是在一柱状聚焦雷射机台内进行,藉由柱状聚焦雷射直接将该导线衬垫表面之该有机高分子层去除。8.如申请专利范围第6项或第7项其中之一所述之方法,其中该雷射是准分子雷射。9.一种去除导线衬垫表面之有机高分子层的装置,其包括:一雷射元件;一电脑控制的移动架(moving stage),可将一含有导线衬垫且表面被一有机高分子层所覆盖之物件以垂直于该雷射元件所发出之雷射光的方向移入此装置内;以及一罩幕,位在该雷射元件和该电脑控制的移动架之间,且该罩幕含有一对准于该物件之导线衬垫的开口,使得该雷射元件所发出的雷射光可经由该开口而将该物件之导线衬垫表面之有机高分子层去除。10.如申请专利范围第9项所述之装置,其中该雷射元件包括:一雷射光源;一电源供应器,以供应该雷射光源所需要的电源;一冷却系统,用以在该雷射光源发出雷射时将所发出的热量排出该雷射元件外;以及一排气系统,用以在该雷射光源发出雷射时将该雷射元件内之气体排出该雷射元件外。11.如申请专利范围第10项所述之装置,其中该雷射光源系准分子雷射光源。12.如申请专利范围第11项所述之装置,其中该雷射光源之基质是氟化氟(KrF)。13.如申请专利范围第9项所述之装置,其中更包括一保护外壳,使得该雷射元件之雷射光源和该罩幕被包覆于其中,且该保护外壳更包含有一可供该移动架进、出的入口和出口。14.一种去除高分子电发光显示器之导线衬垫表面之有机高分子层的装置,其包括:一雷射元件;一电脑控制的移动架(moving stage),可将一含有导线衬垫且表面被一有机高分子层所覆盖之物件以垂直于该雷射元件所发出之雷射光的方向移入此装置内;以及一聚焦透镜,位在该雷射元件和该电脑控制的移动架之间,使得雷射可经由该聚焦透镜而直接将该物件之导线衬垫表面之有机高分子层去除。15.如申请专利范围第14项所述之装置,其中该雷射元件包括:一雷射光源;一电源供应器,以供应该雷射光源所需要的电源;一冷却系统,用以在该雷射光源发出雷射时将所发出的热量排出该雷射元件外;以及一排气系统,用以在该雷射光源发出雷射时将该雷射元件内之气体排出该雷射元件外。16.如申请专利范围第15项所述之装置,其中该雷射光源系准分子一雷射光源。17.如申请专利范围第16项所述之装置,其中该雷射光源之基质是氟化氪。18.如申请专利范围第14项所述之装置,其中更包括一保护外壳,使得该雷射元件之雷射光源和该罩幕被包覆于其中,且该保护外壳更包含有一可供该移动架进、出的入口和出口。图式简单说明:第一图A-第一图E显示的是习知一种有机高分子电发光显示器之导线衬垫的俯视制程。第二图A-第二图D显示的是习知另一种有机高分子电发光显示器之导线衬垫的俯视制程。第三图A-第三图D显示的是本发明之实施例一的有机高分子电发光显示器之导线焊垫的剖面制程。第四图是第三图A-第三图D制程中用以去除导线焊垫表面之有机高分子层之装置的示意图。第五图A-第五图D显示的是本发明之实施例二的有机高分子电发光显示器之导线衬垫的剖面制程。第六图是第五图A-第五图D制程中用以去除导线衬垫表面之有机高分子层之装置的示意图。 |
