| 主权项 |
1.一种彩色影像管,具有:内面备有萤光面之面板部,及管颈部,及备有连结该管颈部及面板部之锥体部之真空外围器,及内藏于该管颈部之,包含用于产生中央电子射束及2个侧电子射束之阴极及主透镜之直线排列型电子枪,及使电子射束偏向之偏向轭,及配置于管颈部外周之修正电子射束之轨道之由2枚之2极环状磁铁所成之1对2极磁铁,该1对之2极环状磁铁之中心位置系较主透镜之中心配置于更靠近萤光面之位置,该2极环磁铁之磁通密度分布系,由环状磁铁之中心而于电子枪之主透镜之电子射束间隔为半径之圆周上,将半径方向之磁通密度之最大振幅以圆周方向之磁通密度之最大振幅所除之値为0.86乃至1.38为其特征者。2.如申请专利范围第1项所述之彩色影像管,其中,该2极环状磁铁之磁通密度分布为,由环状磁铁之中心而在于电子枪之主透镜之射束间隔为半径之圆周上,而将半径方向之磁通密度之最大振幅以圆周方向之磁通密度之最大振幅所除之値为0.955乃至1.275者。3.一种彩色影像管,主要系具有:内面备有萤光面之面板部,及管颈部,及备有连结该管颈部及面板部之锥体部之真空外围器,及包含内藏于该管颈部之用于产生中央电子射束及2个侧电子射束之阴极及主透镜之直线排列型电子枪,以及令电子射束偏向之偏向轭,以及于管颈部外周,较主透镜中心而靠近于电子枪之阴极侧地配置,该用于修正电子射束之轨道之,由2极,4极,6极之各磁铁对所成之磁铁组合,且备有配置于管颈部外周之由用于修正电子射束之2枚之2极环状磁铁所成之1对之第2之2极磁铁,该1对之2极环状磁铁之中心位置较电子枪之主透镜中心更靠近萤光面位置配置之影像管中,其特征为,于萤光面之由上述第2之2极磁铁之最大射束移位置之中央射束与侧私束之差为10%以下者。4.如申请专利范围第3项所述之彩色影像管,其中于萤光面之由上述第2之2极磁铁之最大射移位置中央射束与侧射束之差为6.6%以下者。5.如申请专利范围第3项或第4项所述之彩色影像管,其中,该2极环状磁铁之磁通密度分布乃由环状磁铁之中心而在于电子枪之主透镜之电子射束间隔为半径之圆周上,将半径方向之磁通密度之最大振幅以圆周方向之磁通密度之最大振幅而除算之値为0.86乃至1.38者。6.如申请专利范围第3项或第4项所述之彩色影像管,其中,该2极环状磁铁之磁通密度分布乃由环状磁铁之中心而在于电子枪之主透镜之电子射束间隔为半径之圆周上将半径方向之磁通密度之最大振幅以圆周方向之磁通密度之最大振幅而除算之値为0.955乃至1.275者。7.如申请专利范围第1项或第2项所述之彩色影像管,其中该2极磁铁乃安装于偏向轭者。8.如申请专利范围第3项所述之彩色影像管,其中该2极磁铁乃安装于偏向轭者。9.如申请专利范围第7项所述彩色影像管,其中在偏向轭上乃再安装有4极磁铁,且该2极磁铁系安装于比该4极磁铁更靠于萤光面侧者。10.如申请专利范围第8项所述之彩色影像管,其中在偏向轭上乃再安装有第2之4极磁铁,且第2之2极磁铁乃安装于比第2之4极磁铁更靠于萤光面侧者。11.如申请专利范围第1项或第2项所述之影像管,其中,管颈部外径为28.1mm以下者。12.如申请专利范围第3项之彩色影像管,其中管颈部外径为28.1mm以下者。13.如申请专利范围第1或2项之彩色影像管,其中管颈部外径为28.1mm以下,上述2极磁铁安装于偏向轭。14.如申请专利范围第3项之彩色影像管,其中管颈部外径为28.1mm以下,上述2极磁铁安装于偏向轭。15.如申请专利范围第13项之彩色影像管,其中于偏向轭另安装4极磁铁,而且该2极磁铁较4极磁铁更靠近萤光面侧安装。16.如申请专利范围第14之彩色影像管,其中于偏向轭另安装第2之极磁铁,而且该第2之极磁铁较第2之极磁铁更靠近萤光面侧安装。17.一种2极环状磁铁之制造方法,主要系,安装于彩色影像管之管颈部以资修正电子射束之轨道之2极环状磁铁之制造方法中,其特征为:着磁轭之断面形状乃,其两端为,外侧具有凸之半径R之圆弧之伞状,其宽为12,伞状部乃以宽度11长度13之铁心所连结,在该铁小部卷绕有通流着磁电流用之线元,该着轭之形状系,a=13/R,b=12/R时,592a2-0.591a+0.87≦b≦0.592a2-0.591a+1.37而对于该着磁轭插入环状磁铁而予以着磁者。图式简单说明:第一图乃使用于本发明实施例之彩色影像管之DY2极磁铁之着磁之用之着磁轭之构成图。第二图乃本发明实施例之彩色影像管之一部份切开剖面图。第三图乃本发明实施例之彩色影像管之电子光学系之说明图。第四图(a)、第四图(b)乃本发明实施例之彩色影像管之DY2极磁铁之构成图。第五图乃本发明实施例之彩色影像管之DY2极磁铁之着磁方法说明图。第六图乃表示对于以着磁轭之半径而规格化之伞之幅度之电子射束移位置之中央侧部差之评监结果之曲线图。第七图乃表示对于以着磁轭之半径而规格化之伞之幅度之电子射束移位置之中央侧部差之评监结果之曲线图。第八图乃表示对于以着磁轭之半径而规格化之伞之幅度之电子射束移位置之中央侧部差之评监结果之曲线图。第九图乃表示对于以着磁轭之半径而规格化之伞之幅度之电子射束移位置之中央侧部差之评监结果之曲线图。第十图乃表示对于以着磁轭之半径而规格化之伞之幅度之电子射束移位置之中央侧部差之评监结果之曲线图。第十一图乃表示对于以着磁轭之半径来规格化之伞之间隔a之最大値为最大之以着磁轭之半径所规格化之伞之幅度b之値,及最大値为6.6%时之b之値之曲线图。第十二图(a)乃表示本发明实施例之彩色影像管之DY2极磁铁之半径10mm之圆周上之磁场分布之曲线图。第十二图(b)乃表示本发明实施例之彩色影像管之DY2极磁铁之半径4.75mm之圆周上之磁场分布之曲线图。第十三图(a)乃表示先前之彩色影像管之DY2极磁铁之半径10mm之圆周上之磁场分布之曲线图。第十三图(b)乃表示先前之彩色影像管之DY2极磁铁之半径4.75mm之圆周上之磁场分布之曲线图。第十四图(a)乃表示本发明实施例之彩色影像管之在DY2极磁铁中央之(x,y)断面之磁场分布之说明图。第十四图(b)乃表示本发明实施例之彩色影像管之由DY2极磁铁之中央z方向离开10mm(x,y)断面内之磁场分布之说明图。第十五图(a)乃表示以往之彩色影像管之在DY2磁场之中央部之磁场向量分布之说明图。第十五图(b)乃表示以往之彩色影像管之在DY2磁场之中央部之磁场之无向量値之分布之说明图。第十六图(a)-第十六图(f)之实线乃表示本发明实施例之彩色影像管之DY2极磁铁之调整该旋转角,而磁场之水平方向(x方向)地成为最大时之红(R),绿(G),蓝(B)之各电子射束之中心轨道,轴上电位分布,以及轴上磁场分布。而虚线乃表示以往之DY2极磁铁时之曲线图。第十七图乃表示本发明实施例之彩色影像管之DY2极磁铁之BRPP/BQPP与之关系之曲线图。第十八图(a)乃3次元磁场测定装置之正面图。第十八图(b)乃3次元磁场测定装置之侧面图。第十九图乃3次元磁场测定装置之测定探针之测定原理说明图。 |
