| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含: 半导体元件,其具有电极形成表面,其该表面上形 成至少一电极端子及新装电线部份,该新装电线部 份系电连接至该电极端子; 外接端子,其系由具有接连至该新装电线部份之基 本端及自其延伸之末梢端之电线制得;及 电绝缘树脂,其系以使该外接端子之至少该末梢端 自该绝缘树脂曝露之方式覆盖该电极形成表面。2 .如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该外接 端子藉由电线结合接连至该新装电线部份且于该 基本端及其末梢端间之其中间部份具有实质上为L 型。3.一种制备半导体装置之方法,该装置包含半 导体元件,其具有电极形成表面,其该表面上形成 至少一电极端子及新装电线部份,该新装电线部份 系电连接至该电极端子;该方法包含下述步骤: 使电线之一端弯曲至新装电线部份,以便以使外接 端子自其延伸且以新装电线部份支撑之方式形成 外接端子; 以电绝缘树脂涂覆该电极形成表面及该外接端子 之外表面;及 自该外接端子之末梢端移除一部份电绝缘树脂以 使其自绝缘树脂曝露出。4.如申请专利范围第3项 之方法,其中于结合方法期间,该电线之一端先被 结合至该新装电线部份,然后实质为L型部份形成 于其中间部份。5.如申请专利范围第3项之方法,其 中该电极形成表面藉由旋转涂覆或喷洒涂覆以电 绝缘树脂涂覆之。6.如申请专利范围第3项之方法, 其中该电极形成表面藉由使该半导体元件及该外 接端子一起浸渍于液体绝缘树脂而以电绝缘树脂 涂覆之。7.如申请专利范围第3项之方法,其中: 该半导体元件之该电极形成表面被涂覆电绝缘树 脂至使该外接端子被埋于该绝缘树脂内之深度,然 后 一部份该电绝缘树脂被移除,以使该外接端子之该 末梢端自该绝缘树脂曝露出。8.如申请专利范围 第7项之方法,其中该电绝缘树脂之一部份藉由蚀 刻移除。9.如申请专利范围第7项之方法,其中该电 绝缘树脂之一部份藉由使该外接端子之该顶端浸 渍于剥离溶液内而移除。图式简单说明: 第一图系显示依据本发明之实施例之半导体装置 之结构; 第二图(a)及第二图(b)系用以解释制备如第一图所 示半导体装置之方法之例示图; 第三图系显示依据本发明之另一实施例之半导体 装置之结构; 第四图系显示依据本发明之另一实施例之半导体 装置之结构之截面图; 第五图系显示依据本发明之另一实施例之半导体 装置之结构之截面图; 第六图(a)至第六图(c)及第七图(a)及第七图(b)图系 解释图,其每一者被用以解释制备如第五图所示半 导体装置之方法; 第八图(a)及第八图(b)系解释图,其每一者系用以解 释当半导体装置被封装时之焊料蠕动; 第九图(a)及第九图(b)系解释图,每一者被用以解释 制备依据本发明另一实施例之半导体装置之方法; 第十图系显示习知技艺已知之半导体装置之结构; 第十一图(a)至第十一图(j)系解释制备习知技艺已 知之半导体装置之方法之解释图。 |
