| 主权项 |
1.一种加工装置,主要系,至少包含:将被加工物保 持的保持装置,和备有接触在该保持装置所保持的 被加工物进行加工之作用元件的加工装置,和将加 工液供给该作用元件与该被加工物之接触部的加 工液供给装置,其特征为: 使从该加工液供给装置所供给的加工液侵入至该 作用元件和该被加工物之接触部地配设喷出气体 的气体喷出装置者。2.如申请专利范围第1项之加 工装置,其中,前述作用元件系由固定磨刀石粒构 成。3.如申请专利范围第2项之加工装置,其中,前 述固定磨刀石粒为研削磨刀石粒,而加工装置为研 削装置。4.如申请专利范围第3项之加工装置,其中 ,前述保持装置为夹台,被加工物为半导体晶片,加 工液为水,而气体喷出装置喷出的气体为空气者。 5.如申请专利范围第2项之加工装置,其中,前述保 持装置为夹台,固定磨刀石粒为切削刀片,而加工 装置为切削装置者。6.如申请专利范围第5项之加 工装置,其中,前述被加工物为半导体晶片,加工液 为水,而气体喷出装置喷出的气体为空气者。7.一 种加工方法,主要系,在保持装置所保持的被加工 物使加工装置之作用元件接触而对该加工物施以 所要的加工之加工方法,其特征为: 在该作用元件和该被加工物的接触部一面供给加 工液实施加工时,使该加工液会浸入该作用元件和 该被加工物之接触部地一面喷出气体而一面实施 加工的加工方法。8.如申请专利范围第7项之加工 方法,其中,做为作用元件使用固定磨刀石粒。9.如 申请专利范围第8项之加工方法, 其中,做为固定磨刀石粒使用研削磨刀石,所要的 加工为被加工物的表面研削加工者。10.如申请专 利范围第9项之加工方法,其中,把保持装置做为夹 台,把被加工物为半导体晶片,做为加工液使用水, 做为气体使用空气,而表面研削加工为半导体晶片 的面研削加工者。11.如申请专利范围第8项之加工 方法,其中,把保持装置做为夹台,做为固定磨刀石 粒使用切削刀片,所要的加工为切削加工者。12.如 申请专利范围第11项之加工方法,其中,把被加工物 做为半导体晶片,做为加工液使用水,做为气体使 用空气,切削加工为该半导体晶片的切块加工者。 图式简单说明: 第一图系显示关于本发明的加工装置之第一实施 例的研削装置之外观的斜视图。 第二图系显示同研削装置的研削方法,夹台及气体 喷出装置之说明图。 第三图系显示,被配设在同研削装置的气体喷出装 置之例的斜视图。 第四图系显示同研削装置之主要部份的构成之说 明图。 第五图系显示构成同研削装置的研削手段之研削 轮的说明图。 第六图系显示使用同研削装置供给研削水、同时 喷出空气、把半导体晶片研削的情况之说明图。 第七图系在第六图以A表示的部份之扩大图。 第八图系表示使用关于本发明的研削装置进行半 导体晶片之研削时的研削张数和研削磨刀石之摩 损室的关系之图表。 第九图系表示使用同研削装置进行研削半导体晶 片时的研削张数和心轴附加电流値之关系的图表 。 第十图系显示本发明的第二实施例之切块装置的 切削手段之说明图。 第十一图系显示同切削手段的第一构成例,以及, 使用该切削手段供给切削水同时一面喷出空气将 半导体晶片切块的情况之说明图。 第十二图系显示同切削手段的第二构成例,以及, 使用该切削手段供给切削水同时一面喷出空气将 半导体晶片切块的情况之说明图。 第十三图系显示同切削手段的第二构成例,以及, 使用该切削手段供给切削水同时一面喷出空气将 半导体晶片切块的情况之说明图。 第十四图系显示切块装置的外观之斜视图。 第十五图系显示被保持在框架之半导体晶片的表 面的说明图。 第十六图系显示在切块装置的习知之切削手段的 说明图。 第十七图系显示同切削手段之构成及使用该切削 手段一面供给切削水将半导体晶片切块的情况之 说明图。 |
