| 摘要 |
<p>본 발명의 반도체 메모리 장치는 각 뱅크에 대하여 용장(冗長) 치환 선택 신호를 출력하는 용장 메모리 선택 회로(XRDN)를 포함한다. 리프레시 동작시에는, 로우 어드레스 신호(XADD)에 포함된 뱅크 선택 신호를 참조하지 않고, 각각의 용장 디코더(XRED)가 로우 어드레스 신호(XADD)로 나타낸 어드레스와 디코더에 기억되어 있는 불량 메모리 셀의 어드레스만 비교한다. 용장 메모리 셀 선택 회로(XRDN)는 각 뱅크 A, B에 대하여 용장 메모리 셀과의 치환이 행해지는 뱅크를 나타내는 용장 치환 선택 신호(XRDNS(A), XRDNS(B))를 출력한다.</p> |
