| 发明名称 |
PROCEDE POUR EMPECHER LA DIFFUSION DE BORE DANS UN COMPOSANT SEMICONDUCTEUR PAR CREATION DE BARRIERES D'AZOTE, ET COMPOSANT OBTENU |
| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé pour empêcher la diffusion du bore entre une première région d'un composant semiconducteur contenant du bore comme dopant et une seconde région dudit composant adjacente à la première région au cours de la fabrication du composant. Le procédé comprend le traitement d'une surface de ladite première région ou de ladite seconde région avec un mélange d'azote et d'hydrogène à basse pression pour former sur ladite surface traitée une couche parcellaire d'atomes d'azote, puis la formation de la seconde région ou de la première région sur ladite surface traitée.</P>
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| 申请公布号 |
FR2800907(A1) |
申请公布日期 |
2001.05.11 |
| 申请号 |
FR19990013930 |
申请日期 |
1999.11.05 |
| 申请人 |
FRANCE TELECOM |
发明人 |
BERENGUER MARC |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/22;H01L21/331;H01L29/165;(IPC1-7):H01L21/205 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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