发明名称 工件抛光机用之重目的拂拭站
摘要 本发明提供一种重目的之工件拂拭站,做为半导体晶圆或其他工件在例如化学机械式平整(CMP)机内处理站之间传送中立即架高。拂拭站包含工件处理表面,诸如抛光垫片或擦光垫片,形成复数通孔,以供对工件表面应用流体,包含水、化学物、浆液,或真空。操作时,工件载体把抛光后晶圆从主要抛光表面运动至拂拭站,在拂拭站利用晶圆转动,以及晶圆跨越拂拭站抛光表面摆动,同时把晶圆压在上面,而对晶圆抛光、擦光或清洗。
申请公布号 TW431950 申请公布日期 2001.05.01
申请号 TW089104128 申请日期 2000.03.08
申请人 史必发艾比克公司 发明人 汉普尔;包曼
分类号 B24B7/24;B24B37/04;H01L21/304 主分类号 B24B7/24
代理机构 代理人 李志鹏 台北巿民权东路三段一四四号一五二六室
主权项 1.一种工件表面之处理装置,包括: 第一工件处理表面,用以处理被压在上面的工件表 面; 工件拂拭站,具有第二工件处理表面,以另外处理 被压在上面的该工件表面;以及 工件载体,将该工件直接从该第一处理表面传送至 该拂拭站,与该第二处理表面接触者。2.如申请专 利范围第1项之装置,又包括第一工件搬运装置,以 存取该拂拭站内之工件者。3.如申请专利范围第2 项之装置,其中该工件搬运装置包括活动安装之机 器人者。4.如申请专利范围第1项之装置,其中该第 二处理表面包括垫片,位于工件载体平台顶部者。 5.如申请专利范围第4项之装置,其中该垫片包括较 软之擦光垫片者。6.如申请专利范围第1项之装置, 其中该第二工件处理表面形成复数贯穿之流体通 孔者。7.如申请专利范围第6项之装置,其中该通孔 系与真空源呈流体相通,操作上可经该通孔抽空气 抽到保持工件之真空者。8.如申请专利范围第6项 之装置,其中该通孔系与加压流体源呈流体相通, 操作上可使流体通过该通孔和通道,碰到与该第二 处理表面接触之工件表面者。9.如申请专利范围 第8项之装置,其中该流体包括液态化学配剂者。10 .如申请专利范围第9项之装置,其中该化学配剂包 括水者。11.如申请专利范围第8项之装置,其中该 流体包括磨浆者。12.如申请专利范围第6项之装置 ,又包括复数流体源和复数相对应阀,该阀可以操 作以选择性连接该通孔至该流体源至少其一者。 13.如申请专利范围第6项之装置,又包括: 真空源; 至少一加压流体源;以及 阀,操作上可选择性将该至少一加压流体源和该真 空源之至少其一,独立连接至该通孔者。14.如申请 专利范围第1项之装置,其中该载体一般呈圆形,可 绕垂直于该第二处理表面的轴线转动,并维持该工 件与该第二处理表面加压接触者。15.如申请专利 范围第14项之装置,其中该载体在该第二处理表面 之平行方向侧面运动,并维持该工件加压接触于其 上面者。16.如申请专利范围第15项之装置,其中该 第二处理表面宽度足够容纳该相对侧面运动,使该 工件不致于悬空于该第二处理表面之边缘者。17. 如申请专利范围第1项之装置,又包含定中机构,使 置放在该第二处理表面上的工件定中者。18.一种 拂拭站,供工件抛光机内在处理站间传送的工件立 即架高,该拂拭站包括: 工件处理表面;以及 流体输送系统,以施加流体至该处理表面者。19.如 申请专利范围第18项之拂拭站,其中该工件处理表 面包括较柔顺的垫片,附设于支持平台者。20.如申 请专利范围第18项之拂拭站,其中该处理表面形成 复数贯穿通孔者。21.如申请专利范围第20项之拂 拭站,其中该流体输送系统包括流体多岐管,供该 处理表面内复数流体通孔与流体供应管道间之流 体连接,该流体供应管道可连接到至少一流体源者 。22.一种在工件处理装置内处理工件表面之方法, 包括步骤为: 促使工件载体持有工件,把该工件带到与第一工件 处理站的第一处理表面呈加压结合; 提供该工件载体与该第一处理表面间之相对运动; 令该工件载体和所持有之工件,运动至具有第二处 理表面之工件拂拭站; 促使该工件载体带动该工件与第二处理表面加压 结合,同时提供该工件载体与该第二处理表面间之 相对运动;以及 把该工件从该拂拭站移至第二工件处理站者。23. 如申请专利范围第22项之方法,其中在该工件载体 与该第二处理表面间提供相对运动之该步骤,包括 转动该载体及其上之该工件者。24.如申请专利范 围第22项之方法,其中在该工件载体与该第二处理 表面间提供相对运动之该步骤,又包括令该载体及 上面之该元件,相对于该第二处理表面摆动者。25. 如申请专利范围第22项之方法,又包括步骤为,把流 体输送至该第二处理表面者。26.如申请专利范围 第25项之方法,其中输送至该第二处理表面之该流 体,包括化学配剂者。27.如申请专利范围第26项之 方法,其中该化学配剂包括水者。28.如申请专利范 围第25项之方法,其中输送至该第二处理表面之该 流体,包括磨浆者。29.如申请专利范围第22项之方 法,又包括步骤为,把空气向下抽经该第二处理表 面形成之复数通孔,以供藉真空保持工件于其上者 。30.如申请专利范围第22项之方法,其中该第二处 理表面包括垫片,附设于支持平台顶面者。31.如申 请专利范围第25项之方法,其中该输送步骤包括令 该流体流过该第二处理表面之复数通孔者。32.如 申请专利范围第31项之方法,又包括步骤为,经由流 体多岐管选择性连接该流体通孔至复数流体源之 一者。33.如申请专利范围第22项之方法,其中该工 件传送步骤,包括作动搬运工件之机器人,从该拂 拭站取回该工件,并将该工件定置于该第二处理站 上者。34.如申请专利范围第33项之方法,其中该传 送步骤又包括在轨上运动该机器人者。35.如申请 专利范围第22项之方法,其中该第二处理站包括第 三工件处理表面,供另外处理该工件之表面者。图 式简单说明: 第一图为含有本发明双重目的拂拭站之抛光装置 平面图; 第二图为本发明重目的拂拭站之分解透视图; 第三图为第二图重目的拂拭站之断面图; 第四图为本发明拂拭站流体输送系统之示意图。
地址 美国
您可能感兴趣的专利