| 发明名称 | 沟道隔离结构、具有该结构的半导体器件以及沟道隔离方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种通过使沟道顶部边缘圆形化并增加沟道顶部边缘的氧化物量来防止驼峰现象和晶体管的反相窄宽度效应的沟道隔离结构,具有该结构的半导体器件以及沟道隔离方法。在该沟道隔离方法中,在半导体衬底的非作用区域内形成一个沟道。沟道内壁上形成厚度在10—150埃之间的内壁氧化物薄膜。在内壁氧化物薄膜的表面形成一个衬层。用介质薄膜填充沟道。蚀刻部分衬层,使得该氮化硅衬层的顶端可以从半导体衬底的表面凹进。 | ||
| 申请公布号 | CN1293452A | 申请公布日期 | 2001.05.02 |
| 申请号 | CN00134717.9 | 申请日期 | 2000.10.12 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴泰绪;朴文汉;朴暻媛;李汉信 |
| 分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 王志森 |
| 主权项 | 1．一个沟道隔离结构包括：在半导体衬底的非作用区域内形成的沟道，使该沟道的顶部边缘圆形化；在沟道内壁上形成的内壁氧化物簿膜；在内壁氧化物簿膜的表面形成的衬层，该衬层的顶部从半导体衬底的表面凹进；用来填充沟道的介质薄膜，内壁氧化物簿膜和衬层都形成于该沟道中。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||