| 发明名称 |
Niederohmiges VDMOS-Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19922187(C2) |
申请公布日期 |
2001.04.26 |
| 申请号 |
DE19991022187 |
申请日期 |
1999.05.12 |
| 申请人 |
SIEMENS AG |
发明人 |
TIHANYI, JENOE;WERNER, WOLFGANG |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/739;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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