| 主权项 |
1.一种化学机械抛光(CMP)半导体晶圆泥浆移除方法,包括以下步骤:提供一半导体晶圆;于一泥浆中抛光半导体晶圆;及将三醇胺之水溶液施加至半导体晶圆以移除泥浆。2.如申请专利范围第1项之CMP半导体晶圆泥浆移除方法,其中该三醇胺系选自三丙醇胺与三丁醇胺。3.一种CMP半导体晶圆平坦化之方法,包括步骤:提供一半导体晶圆;于一泥浆中抛光半导体晶圆;将三醇胺之水溶液施加至半导体晶圆以移除泥浆;及其中该三醇胺系三乙醇胺。4.一种CMP半导体晶圆平坦化之方法,包括步骤:提供一半导体晶圆;于一泥浆中抛光半导体晶圆;将三醇胺之水溶液施加至半导体晶圆以移除泥浆;及其中该三醇胺系在约10之PH値下使用。5.一种CMP半导体晶圆平坦化之方法,包括步骤:提供一半导体晶圆;于一泥浆中抛光半导体晶圆;将三醇胺之水溶液施加至半导体晶圆以移除泥浆;及其中该三醇胺系在0.001%至5%之浓度下使用。6.一种CMP半导体晶圆泥浆移除方法,包括步骤:提供一半导体晶圆;于一泥浆中抛光半导体晶圆;于半导体晶圆之抛光步骤中施加化学式为[HO(CnH2n)]3N之三醇胺水溶液至半导体晶圆;及其中n为等于2至8(含)之整数。7.一种CMP半导体晶圆平坦化之方法,包括步骤:于一泥浆中抛光半导体晶圆;作为湿化学浴而使用三醇胺水溶液,或与由刷洗、水喷射与巨声波清洁头所组成之群集中所选出者合并使用。8.一种CMP半导体晶圆平坦化之方法,包含步骤:于一泥浆中抛光半导体晶圆;在抛光时包含含有氧化铝之胶体悬浮液之使用以及在抛光时,或随后含有清洁溶液之三乙醇胺之合并使用。9.一种半导体清洁方法,包括以下步骤:提供一半导体晶圆;于一泥浆中抛光半导体晶圆;将三醇胺之水溶液施加至半导体晶圆直到泥浆与任何残留之微粒物被移除为止。10.一种使用三醇胺以清洁一半导体晶圆之方法,包括以下步骤:提供一半导体晶圆;将该半导体晶圆平坦化;在平坦化之后藉由将三醇胺水溶液施加至半导体晶圆以清洁半导体晶圆。 |
