| 主权项 |
1.一种具有低寄生电容之骨架式焊垫构造,包括:一基底;一扩散区位于该基底中;一骨架式堆叠金属层位于该基底之该扩散区上方,该骨架式堆叠金属层系由复数个金属层与复数个介电层相互堆叠而成,且该些金属层之间系以复数个介层洞连结;一顶层金属层化于该堆叠金属层上;以及一保护层覆盖部分该顶层金属层,该保护层具有一焊垫开口裸露出该顶层金属层,其中,该堆叠金属层中之各个金属层的面积小于该顶层金属层之面积。2.如申请专利范围第1项所述之具有低寄生电容之骨架式焊垫构造,其中该骨架式堆叠金属层之该些金属层为条状。3.如申请专利范围第2项所述之具有低寄生电容之骨架式焊垫构造,其中该骨架式堆叠金属层之该些呈条状之金属层系可相互交错成网状之条状。4.如申请专利范围第2项所述之具有低寄生电容之骨架式焊垫构造,其中该骨架式堆叠金属层之该些金属层系相互对应、且可重叠之条状。5.如申请专利范围第1项所述之具有低寄生电容之骨架式焊垫构造,其中该骨架式堆叠金属层之该些金属层之形状为边长不同之同心多边条。6.如申请专利范围第1项所述之具有低寄生电容之骨架式焊垫构造,其中该骨架式堆叠金属层之该些金属层之形状为直径不同之同心环。7.如申请专利范围第1项所述之具有低寄生电容之骨架式焊垫构造,其中该骨架式堆叠金属层之该些金属层的图案为网状。8.如申请专利范围第5项所述之具有低寄生电容之骨架式焊垫构造,其中该骨架式堆叠金属层之该些金属层图案系相互对应、且可相互重叠之网状。9.如申请专利范围第5项所述之具有低寄生电容之骨架式焊垫构造,其中该骨架式堆叠金属层之该些金属层之网状图案系由单一几何图案相互连结而成。10.如申请专利范围第9项所述之具有低寄生电容之骨架式焊垫构造,其中该单一几何图案为多边形。11.如申请专利范围第9项所述之具有低寄生电容之骨架式焊垫构造,其中该单一几何图案为圆形。12.如申请专利范围第1项所述之具有低寄生电容之骨架式焊垫构造,其中该堆叠金属层之该些金属层的网状图案系由复数个几何图案相互连结而成。13.一种积体电路的结构,包括:一基底;一扩散区位于该基底中;一骨架式焊垫配置于该基底上,该焊垫系由一骨架式堆叠金属层与一顶层金属层所组成;以及一半导体元件配置于该基底与该焊垫之间。14.如申请专利范围第13项所述之积体电路的结构,其中该骨架式堆叠金属层系由复数个介电层与复数个金属层相互堆叠而成,且该些金属层之间系以复数个介层洞连结。15.如申请专利范围第13项所述之积体电路的结构,其中该骨架式堆叠金属层之各个金属层的面积小于该顶层金属层之面积。16.如申请专利范围第13项所述之积体电路的结构,更包括一讯号线与一电源线配置于该半导体元件与该焊垫之间。17.如申请专利范围第16项所述之积体电路的结构,其中该骨架式堆叠金属层系由复数个介电层与复数个金属层相互堆叠而成,且该些金属层之间系以复数个介层洞连结。18.如申请专利范围第16项所述之积体电路的结构,其中该堆叠金属层之各个金属层的面积小于该顶层金属层之面积。图式简单说明:第一图系绘示习知一种焊垫的剖面示意图;第二图系绘示根据本发明之第一实施例,一种条状焊垫构造的布局示意图;第三图系绘示第二图III-III切面之骨架剖面图;第四图系绘示第二图IV-IV切面之骨架剖面图;第五图系绘示第二图V-V切面之骨架剖面图;第六图系绘示第二图VI-VI切面之骨架剖面图;第七图系绘示根据本发明之第一实施例,一种斜条状之骨架式焊垫构造的布局示意图;第八图系绘示第七图VIII-VIII切面之骨架剖面图;第九图系绘示根据本发明之第一实施例,一种同心圆条环状之骨架式焊垫构造的布局示意图;第十图系绘示第九图IIX-IIX切面之骨架剖面图;第十一图系绘示根据本发明之第一实施例,一种同心正四边条环状之骨架式焊垫构造的布局示意图;第十二图系绘示第十一图XI-XI切面之骨架剖面图;第十三图至第十六图系绘示根据本发明之第一实施例,数种骨架式焊垫为同心多边条环状之布局示意图;第十七图至第二十二图系绘示根据本发明之第一实施例,数种网状之骨架式焊垫的示意图;以及第二十三图系绘示根据本发明之第二实施例,一种包含骨架式焊垫结构之积体电路的剖面示意图。 |
