| 主权项 |
1.一种光阻膜去除方法,系在密闭系统内,配置具有使光阻膜基板表面成为与光阻膜去除溶液可接触,且在该溶液之液面附近以混入于气体及/或溶液之状态存在之臭氧,改变上述基板表面与上述溶液之液面的相对位置俾分解去除光阻膜的光阻膜去除方法,其特征为:从基板底部位于上述溶液之液面上的位置直到基板上部位于上述溶液之液面下的位置之任意范围内连续地或断续地变化上述相对位置。2.如申请专利范围第1项之光阻膜去除方法,其中光阻膜去除溶液系选自由纯水,酸性水溶液,硷性水溶液或有机溶剂所成组群者,于密闭系统内同时或个别地供应臭气及光阻膜去除溶液。3.如申请专利范围第2项之光阻膜去除方法,其中藉将臭氧混进光阻膜去除溶液中,同时地供应臭氧及光阻膜去除溶液。4.如申请专利范围第1项之光阻膜去除方法,其中藉移动基板来控制上述相对位置之变化。5.如申请专利范围第1项之光阻膜去除方法,其中藉变位光阻膜去除溶液之液面来控制上述相对位置之变化。6.如申请专利范围第1项之光阻膜去除方法,其中使用含有臭氧之光阻膜去除溶液,及于上述密闭系统内又赋予超音波振动。7.一种光阻膜去除方法,系在密闭系统内,将申请专利范围第2项之臭氧及光阻膜去除溶液连续或断续地供应于具有光阻膜之基板表面的光阻膜去除方法,其特征为:以喷雾形态连续地或断续地供应光阻膜去除溶液。8.如申请专利范围第7项之光阻膜去除方法,其中藉将臭氧混进光阻膜去除溶液中,同时供应臭氧及光阻去除溶液。9.如申请专利范围第7项之光阻膜去除方法,其中回收光阻膜去除溶液,经再调整后,予以再使用。10.一种光阻膜去除装置,包含在密闭容器内部,放进光阻膜去除溶液的反应槽;具有用以将臭氧气体喷射于光阻膜去除溶液中之喷射孔的臭氧供应管;用以配置并将光阻膜固定于基板表面使与上述溶液液面接触的基板匣;用以移动该基板匣之匣移动机构及用以回收并处理臭氧氧体及/或光阻膜去除溶液的处理槽之使用于申请专利范围第1项之方法的光阻膜去除装置,其特征为:将气体及光阻膜去除溶液同时或个别地供应于上述反应槽内。11.如申请专利范围第10项之光阻膜去除装置,其中经由连续或断续地移动之匣移动机构,从基板底部位于上述溶液之液面上的位置直到基板上部位于上述溶液之液面下的位置之任意范围内变化基板表面与光阻膜去除溶液之液面的相对位置。12.如申请专利范围第10项之光阻膜去除装置,其中反应槽具有用以变位光阻膜去除溶液液面的自动开关口。13.如申请专利范围第10项之光阻膜去除装置,其中使用含有臭氧之光阻膜去除溶液,及又包含超音波发生器。14.如申请专利范围第10项之光阻膜去除装置,其中上述处理槽包含用以再使用或排除光阻膜去除溶液及/或臭氧气体的机构。15.一种光阻膜去除装置,包含在密闭容器内部,用以固定表面具有光阻膜之基板的基板匣,臭氧气体供应管,用以供应光阻膜去除溶液之送液管及用以回收并处理臭氧气体及/或光阻膜去除溶液的处理槽之使用于申请专利范围第7项之方法之光阻膜去除装置,其特征为:上述光阻膜去除溶液从送液管以溶液或喷雾形态供应,及臭氧及光阻膜去除溶液同时或个别且连续地或断续地供应。图式简单说明:第一图表示实施形态1之本发明光阻膜去除装置模式剖面图。第二图表示本发明之光阻膜去除方法的光阻膜去除概念图。第三图表示本发明光阻膜去除方法之对于半导体基板处理时间与光阻膜去除溶液之液面的相对位置概念图。第四图表示实施形态2之本发明光阻膜去除装置的模式剖面图。第五图表示实施形态3之本发明光阻膜去除装置的模式剖面图。第六图表示实施形态4之本发明光阻膜去除装置的模式剖面图。第七图表示实施形态5之本发明光阻膜去除装置的模式剖面图。第八图表示背景技术所述之光阻膜去除装置的模式剖面图。 |
