| 主权项 |
1.一种蚀刻制程之后处理程序,包括:提供一介电层,该介电层包括一氮化层和一氧化层,且部份该氮化层之表面和部份该氧化层之表面同时暴露出来,且在该氮化层和该氧化层暴露出来之表面有一残留物层;以及进行一原位(in-situ)磁增强反应离子处理步骤,去除该残留物。2.如申请专利范围第1项所述之蚀刻制程之后处理程序,其中该原位(in-situ)磁增强反应离子处理步骤包括使用O2/CO为气体源。3.如申请专利范围第1项所述之蚀刻制程之后处理程序,其中该原位(in-situ)磁增强反应离子蚀刻步骤包括使用H2/N2为气体源。4.如申请专利范围第3项所述之蚀刻制程之后处理程序,其中该介电层之材料包括含碳之介电材料。5.如申请专利范围第4项所述之蚀刻制程之后处理程序,其中该介电层之材料包括有机低介电材料。6.如申请专利范围第1项所述之蚀刻制程之后处理程序,其中该残留物包括聚合物。7.如申请专利范围第1项所述之蚀刻制程之后处理程序,其中该氧化层系形成于该氮化层上,且该氧化层具有一开口暴露出该氮化矽层。8.如申请专利范围第1项所述之蚀刻制程之后处理程序,其中该氮化层系形成于该氧化层上,且一开口穿透该氮化层和该氧化层。9.如申请专利范围第8项所述之蚀刻制程之后处理程序,其中更包括一第二氧化层形成于该氮化层上,且该第二氧化层具有一沟渠,暴露该开口和部份该氮化层。10.一种清除蚀刻制程后晶片表面之残留物的方法,包括:在一反应室中对一晶片进行一蚀刻步骤后,该蚀刻步骤之反应副物吸附于该晶片暴露之表面形成一残留物;以及在该晶片未移出该反应室之情形下,对该晶片进行一原位(in-situ)磁增强反应离子处理步骤,去除该残留物。11.如申请专利范围第10项所述之清除蚀刻制程后晶片表面之残留物的方法,其中该晶片上具有一介电层,该介电层包括一氮化层和一氧化层,且部份该氮化层之表面和部份该氧化层之表面同时暴露出来,且该残留物层形成在该氮化层和该氧化层暴露出来之表面。12.如申请专利范围第10项所述之清除蚀刻制程后晶片表面之残留物的方法,其中该原位(in-situ)磁增强反应离子处理步骤包括使用O2/CO为气体源。13.如申请专利范围第10项所述之清除蚀刻制程后晶片表面之残留物的方法,其中该原位(in-situ)磁增强反应离子蚀刻步骤包括便用H2/N2为气体源。14.如申请专利范围第13项所述之清除蚀刻制程后晶片表面之残留物的方法,其中该介电层之材料包括含碳之介电材料。15.如申请专利范围第14项所述之清除蚀刻制程后晶片表面之残留物的方法,其中该介电层之材料包括有机低介电材料。16.如申请专利范围第10项所述之清除蚀刻制程后晶片表面之残留物的方法,其中该残留物包括聚合物。17.如申请专利范围第12项所述之清除蚀刻制程后晶片表面之残留物的方法,其中该氧化层系形成于该氮化层上,且该氧化层具有一开口暴露出该氮化矽层。18.如申请专利范围第12项所述之清除蚀刻制程后晶片表面之残留物的方法,其中该氮化层系形成于该氧化层上,且一开口穿透该氮化层和该氧化层。19.如申请专利范围第18项所述之清除蚀刻制程后晶片表面之残留物的方法,其中更包括一第二氧化层形成于该氮化层上,且该第二氧化层具有一沟渠,暴露该开口和部份该氮化层。图式简单说明:第一图A至第一图D绘示习知的双重金属镶嵌制程中内金属介电层的蚀刻流程剖面示意图。第二图A到第二图E绘示依照本发明一较佳实施例,一种双重金属镶嵌制程中内金属介电层的蚀刻制程剖面示意图。 |
