| 主权项 |
l.一种干涉式透明导电膜平板,包括: 一透明的平的玻璃或塑料基板; 一位于该基板的一表面上的透明电绝缘膜,该电绝 缘膜为单一或复数透明的电绝缘层所构成,其中至 少有一层电绝缘层其可见光平均光学折射率低于1 .4或大于1.8;及 一位于该电绝缘膜上的导电膜,该导电膜为复数导 电层所构成,其中该等导电层可以是金属性或非金 属性物质,但其中至少一层导电层为金属性物质, 并且其余非金属性物质为透明的; 其中该电绝缘膜及导电膜所包含的电绝缘层及导 电层的厚度、顺序及可见光平均光学折射率被安 排成在光学干涉原理下,使得该电绝缘膜及导电膜 所形成的复合膜具有80%-95%的可见光平均穿透率。 2.如申请专利范围第1项的透明导电膜平板,其中该 电绝缘膜为单一透明的电绝缘层所构成,并且选自 不导电之氧化物、氮化物、氟化物、碳化物、有 机物、高分子聚合物,及其中之任何一种或其中数 种之混合物所组成的族群。 3.如申请专利范围第l项的透明导电膜平板,其中该 电绝缘膜为复数透明的电绝缘层所构成,并且选自 不导电之氧化物、氮化物、氟化物、碳化物、有 机物、高分子聚合物,及其中之任何一种或其中数 种之混合物所组成的族群。 4.如申请专利范围第2项的透明导电膜平板,其中该 电绝缘膜为TiO2,MgF2,Ta2O5,TixSi1-xO2,其中x>1,或TiaTabOc, 其中4a+5b=2c。 5.如申请专利范围第4项的透明导电膜平板,其中该 电绝缘膜为TiO2或TixSi1-x O2,其中x>1。 6.如申请专利范围第3项的透明导电膜平板,其中该 复数电绝缘层中位于该该基板的表面上者为SiO2其 余的该电绝缘层为TiO2,MgF2,Ta2O5,TixSi 1-xO2,其中x>1,或TiaTabOc,其中4a+5b=2c。 7.如申请专利范围第3项的透明导电膜平板,其中该 复数电绝缘层为TiO2,MgF2,Ta2O5,TixSi1-xO2,其中x>1,或 TiaTabOc,其中4a+5b=2c。 8.如申请专利范围第7项的透明导电膜平板,其中该 复数电绝缘层中位于该该基板的表面上者及接触 该导电膜者均为TiO2或TixSi1-xO2,其中x>1。 9.如申请专利范围第8项的透明导电膜平板,其中该 复数电绝缘层为三层,且中间层为MgF2。 10.如申请专利范围第6项的透明导电膜平板,其中 该复数电绝缘层中接触该导电膜者为TiO2或TixSi1-xO 2,其中x>1。 11.如申请专利范围第10项的透明导电膜平板,其中 该复数电绝缘层为二层。 12.如申请专利范围第10项的透明导电膜平板,其中 该复数电绝缘层为三层,且中间层为MgF2。 13.如申请专利范围第l项至第12项中任一项的透明 导电膜平板,其中该金属性物质为单一金属或金属 合金,及该非金属性物质系选自具导电性之氧化物 、氮化物、碳化物、硼化物、半导体、有机物或 高分子聚合物、其中之任何一种或多种的混合物 所组成的族群。 14.如申请专利范围第13项的透明导电膜平板,其中 该金属性物质为金、银、铜、铬、铝、钛或其等 的合金。 15.如申请专利范围第14项的透明导电膜平板,其中 该金属性物质为银或银与其它金属的合金。 16.如申请专利范围第13项的透明导电膜平板,其中 该非金属性物质为掺杂有锡或锌的铟氧化物、碳 化矽、掺杂的类钻、SnO2.In2O3.ZnO、CdO、或CdO-SnO2。 17.如申请专利范围第16项的透明导电膜平板,其中 该非金属性物质为掺杂有锡的铟氧化物(IT0)。 18.如申请专利范围第17项的透明导电膜平板,其中 该金属性物质为银或银与其它金属的合金。 19.如申请专利范围第13项的透明导电膜平板,其中 该导电膜为二层或二层以上的偶数层导电层所构 成,相邻的两层导电层分属金属性物质及非金属性 物质,并且接触该电绝缘膜导电膜者为金属性物质 。 20.如申请专利范围第19项的透明导电膜平板,其中 该导电膜为二层或四层导电层所构成,并且该金属 性物质为银或银与其它金属的合金。 21.如申请专利范围第20项的透明导电膜平阪,其中 该非金属性物质为掺杂有锡或锌的铟氧化物、碳 化矽、掺杂的类钻、SnO2.In2O3.ZnO、CdO、或CdO-SnO2。 22.如申请专利范围第20项的透明导电膜平板,其中 该非金属性物质为掺杂有锡的铟氧化物(ITO)。 23.如申请专利范围第1项的透明导电膜平板,其中 该电绝缘膜及导电膜所包含的电绝缘层及导电层, 除了接触该基板的表面的电绝缘层外,每一层的厚 度介于lnm至200nm之间。 24.如申请专利范围第23项的透明导电膜平板,其中 该导电膜所包含的金属性导电层的每一层的厚度 介于lnm至30nm之间。 25.如申请专利范围第l项的透明导电膜平板,进一 步包括位于该等电绝缘层间,或该电绝缘膜与该基 板间的一层或数层电绝缘介面层,以增加层与层或 基板之间结合性,并且该电绝缘介面层的厚度及可 见光平均光学折射率不会使该透明导电膜平板的 可见光平均穿透率产生实质上的降低。 26.如申请专利范围第25项的透明导电膜平板,其中 该电绝缘介面层系选自不导电之氧化物、氮化物 、氟化物、碳化物、有机物、高分子聚合物,及其 中之任何一种或数种之混合物所组成的族群。 27.如申请专利范围第l项的透明导电膜平板,进一 步包括位于该等导电层间的一层或数层导电介面 层,以增加层与层之间结合性,并且该导电介面层 的厚度及可见光平均光学折射率不会使该透明导 电膜平板的可见光平均穿透率产生实质上的降低 。 28.如申请专利范围第27项的透明导电膜平板,其中 该导电介面层为金属、金属合金或掺杂的半导体 。 29.如申请专利范围第1项的透明导电膜平板,进一 步包括位于该等电绝缘膜与导电膜间的一层或数 层导电或非导电介面层,以增加层与层之间结合性 ,并且该导电或非导电介面层的厚度及可见光平均 光学折射率不会使该透明导电膜平板的可见光平 均穿透率产生实质上的降低,其中当该介面层是单 层峙,则该介面层可以是导体也可以是非导体;当 该介面层是多层时,则较靠近该导电膜的是导电介 面层,较靠近该绝缘膜的是非导电介面层。 30.如申请专利范围第29项的透明导电膜平板,其中 该导电介面层为金属、金属合金或掺杂的半导体 。 31如申请专利范围第29项的透明导电膜平板,其中 该非导电介面层系选自不导电之氧化物、氮化物 、氟化物、碳化物、有机物、高分子聚合物,及其 中之任何一种或数种之混合物所组成的族群。图 式简单说明: 第一图所所示为习知之含金属层透明导电膜结构 的剖面示意图。 第二图为第一图中的银或银合金膜20被可分割成2 层(20,20"),而其间被插人一氧化铟锌膜层(15)的含金 属层透明导电膜结构的剖面示意图。 第三图为本发明之干涉式透明导电膜平板的剖面 示意图。 第四图为尚未将基材上的厚绝缘层当成可以改变 参数前之干涉式透明导电膜平板的剖面示意图。 第五图将第四图中的基材上的厚绝缘层当成可以 改变参数并加予变化而得之本发明干涉式透明导 电膜平板的剖面示意图。 第六图为尚未将基材上的厚绝缘层当成可以改变 参数前之一种干涉式透明导电膜平板的剖面示意 图。 第七图为将第六图中的基材上的厚绝缘层当成可 以改变参数依本发明之第一种改良方式而得之干 涉式透明导电膜平板的剖面示意图。 第八图为将第六图中的基材上的厚绝缘层当成可 以改变参数依本发明之第二种改良方式而得之干 涉式透明导电膜平板的剖面示意图。 第九图为将第六图中的基材上的厚绝缘层当成可 以改变参数依本发明之第三种改良方式而得之干 涉式透明导电膜平板的剖面示意图。 第十图为尚未将基材上的厚绝缘层当成可以改变 参数前之另一种干涉式透明导电膜平板的剖面示 意图,其膜层结构为ITO/Ag/TIO/Ag/SiO2,其中二氧化矽( SiO2)为膜层较厚的硷金属阻隔屑。 第十一图为将第十图中的基材上的厚绝缘层(SiO2) 当成可以改变参数依本发明加予改良而得之干涉 式透明导电膜平板的剖面示意图。 |
