| 主权项 |
1.一种载持芳环烯金属衍生物型触媒,其特征系于 无机粒子状载体上,载持芳环烯金属化合物与铝恶 烷之反应生成物之载持芳环烯金属衍生物型触媒, 此载持芳环烯金属衍生物型触媒系(a)BET比表面积 为前述无机微粒子状载体之BET比表面积之85-98%,(b) 平均细孔容积为前述无机微粒子状载体之平均细 孔容积之25-60%,且(c)依据氮吸附解吸数据之细孔径 分布曲线曲线至少具有3个波峰。2.如申请专利范 围第1项之载持芳环烯金属衍生物型触媒,其中前 述由固体微粒子含有0.01-5重量%之由方环烯金属化 合物所衍生之过渡金属、及含有0.1-50重量%之由铝 恶烷所衍生之铝。3.如申请专利范围第1项之载持 芳环烯金属衍生物型触媒,其系在载持芳环烯金属 衍生物型触媒上更进一步载持烯烃聚合物,进行预 备活性化。4.如申请专利范围第3项之载持芳环烯 金属衍生物型触媒,其中对于载持芳环烯金属衍生 物型触媒1kg时,被载持于载持芳环烯金属衍生物型 触媒上之烯烃聚合物量为0.01-100kg。5.如申请专利 范围第3项之载持芳环烯金属衍生物型触媒,其中 烯烃聚合物为乙烯、丙烯、1-丁烯或这些2种以上 之混合物的聚合物。6.如申请专利范围第1项之载 持芳环烯金属衍生物型触媒,其中方环烯金属化合 物系以下述一般式(1)表示之过渡金属之有机错合 物、 Rq MXp-q (1) (式中M系表示一种选自Y、Sm、Zr、Ti、Hf、V、Nb、Ta 及Cr之过渡金属原子, p系表示过渡金属之配位数, q为1或2, R系选自由-茂基、-苯、-环庚三烯基或- 环辛四烯所成群之具有分子结构之电子共轭配 位基、 X系表示氢原子、卤原子、碳数1-20之烃基、含氧 之烃基、含矽之烃基、含锗之烃基、含硫之烃基 、含碳之烃基、这些可与R结合之2价的基)。7.如 申请专利范围第6项之载持芳环烯金属衍生物型触 媒,其中方环烯金属化合物为具有一般式(1)中之 电子共轭配位基R为选自由取代茂基、非取代或取 代基、非取代或取代氢化基及非取代或取代 芴基所成群之1种或2种之具有-茂苯结构之化合 物。8.如申请专利范围第6项之载持芳环烯金属衍 生物型触媒,其中芳环烯金属化合物为一般式(1)中 2个之电子共轭配位基R介于2价之连结基互相连 接之化合物。9.如申请专利范围第1项之载持芳环 烯金属衍生物型触媒,其中芳环烯金属化合物为以 下述一般式(2)表示者, (2) (式中M系表示Ti、Zr或Hf、Q为2价之烃基、亚矽烷基 、亚甲烷锗基或亚甲锡烷基、X系表示分别独立之 氢原子、卤原子、碳数1-20之烃基、 (C5H4-mR1m)及(C5H4-nR2n)系表示取代茂基、m及n系1-3之 整数、R1及R2系分别独立表示碳数1-20之烃基、含 氧烃基、含矽烃基、含锗烃基、含硫烃基、含氮 烃基、或R1之2个或R2之2个一起与茂基环上相邻之 碳键结、可形成环碳数为4-8之饱和或不饱和之单 环或杂环之2价之烃基)。10.如申请专利范围第9项 之载持芳环烯金属衍生物型触媒,其中芳环烯金属 化合物为二甲基亚矽烷基(2,3,5-三甲基茂基)(2'4',5' -三甲基茂基)二氯化钛、二甲基亚矽烷基(2,3,5-三 甲基茂基)(2',4',5'-三甲基茂基)二氯化锆、二甲基 亚矽烷基(2,3,5-三甲基茂基)(2',4',5'-三甲基茂基)二 甲基锆、二甲基亚矽烷基(2,3,5-三甲基茂基)(2',4',5 '-三甲其茂基)二氯化铪或二甲基亚甲锗烷基(2,3,5- 三甲基茂基)(2',4',5'-三甲基茂基)二氯化锆。11.如 申请专利范围第1项之载持芳环烯金属衍生物型触 媒,其中铝恶烷为具有链状或环状之碳数1-6之烷基 之烷基铝恶烷。12.如申请专利范围第11项之载持 芳环烯金属衍生物型触媒,其中烷基铝恶烷为甲基 铝恶烷。13.如申请专利范围第1项之载特芳环烯金 属衍生物型触媒,其中无机固体微粒子为具有粒径 5-300m之金属氧化物微粒子。14.如申请专利范围 第13项之载持芳环烯金属衍生物型触媒,其中金属 氧化物为二氧化矽。15.一种载持芳环烯金属衍生 物型触媒之制造方法,其特征系含有下述(a)及(b)步 骤之载持芳环烯金属衍生物型触媒之制造方法中, 下述(b)步骤之后实施下述(c)步骤之无机粒子状载 体上载持芳环烯金属化合物与铝恶烷之反应生成 物, (a)在芳香族烃溶媒中,使芳环烯金属化合物与铝恶 烷产生反应后,生成反应生成物的步骤,及 (b)芳香族烃溶媒之存在下,以85℃-150℃的温度使前 述反应生成物与无机粒子状载体接触,在无机粒子 状载体上载持反应生成物之固体生成物之生成步 骤, (c)藉由脂肪族烃以-50℃-+30℃的温度洗净,(b)步骤 所生成之固体生成物的步骤。16.如申请专利范围 第15项之载持芳环烯金属衍生物型触媒之制造方 法,其中尚包括在前述(c)步骤之后所实施之(d)步骤 ,(d)将烯烃导入已将前述载持芳环烯金属衍生物型 触媒被分散于脂肪族烃溶媒之浆料中使之预备聚 合、使聚烯烃聚合物载持于载持芳环烯金属衍生 物型触媒上,进行预备活性化的步骤。17.如申请专 利范围第15项之载持芳环烯金属衍生物型触媒之 制造方法,其中(c)步骤之固体生成物使用脂肪族烃 洗净之洗净温度为-30℃-+10℃。18.一种烯烃聚合用 触媒系,其特征系由组合有机铝化合物与如申请专 利范围第1项或第3项之载持芳环烯金属衍生物型 触媒所成,其中有机铝的使用量系对于触媒系中之 过渡金属原子1莫耳时,有机铝化合物中之A1原子为 1-5,000莫耳。19.一种烯烃聚合用触媒系,其特征系 由组合有机铝化合物与如申请专利范围第15项或 第16项的方法所制造之载持芳环烯金属衍生物型 触媒所成,其中有机铝的使用量系对于触媒系中之 过渡金属原子1莫耳时,有机铝化合物中之A1原子为 1-5,000莫耳。20.如申请专利范围第18项或第19项之 烯烃聚合用触媒系,其中有机铝为三乙基铝或三异 丁基铝。图式简单说明: 第一图系实施例1所制得之本发明之载持芳环烯金 属衍生物型触媒之红外线(IR)吸收光谱。 第二图系实施例1所制得之本发明之载持芳环烯金 属衍生物型触媒之氮等温吸附解吸曲线。 第三图系实施例1所制得之本发明之载持芳环烯金 属衍生物型触媒之细孔分布曲线。 第四图系比较例6所制得之藉由溶媒蒸发处理之载 持芳环烯金属衍生物型触媒之氮等温吸附解吸曲 线。 第五图系比较例6所制得之藉由溶媒蒸发处理之载 持芳环烯金属衍生物型触媒之细孔分布曲线。 第六图系实施例及比较例所使用之无机粒子状载 体(二氧化矽)之氮等温吸附解吸曲线。 第七图系实施例及比较例所使用之无机粒子状载 体(二氧化矽)之细孔分布曲线。 第八图系本发明之载持芳环烯金属衍生物型触媒 及烯烃聚合物之制造方法之流程图。 |
