发明名称 Oberflächenstrukturierte Lichtemissionsdiode mit verbesserter Stromeinkopplung
摘要 Bei einer Lichtemissionsdiode (100) mit einer lichterzeugenden Schicht (20) und einer relativ dicken, transparenten Stromaufweitungsschicht (30) wird durch eine vertikale Strukturierung der Oberfläche der Stromaufweitungsschicht (30) eine Verbesserung der Lichtauskopplung erzielt und gleichzeitig durch eine zweite elektrische Kontaktschicht (50) mit einer verteilten, lateralen Struktur eine im wesentlichen homogene Einkopplung des elektrischen Stroms in die Stromaufweitungsschicht (30) erzielt.
申请公布号 DE19947030(A1) 申请公布日期 2001.04.19
申请号 DE19991047030 申请日期 1999.09.30
申请人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH & CO. OHG 发明人 WIRTH, RALPH;STREUBEL, KLAUS
分类号 H01L33/02;H01L33/14;H01L33/22;H01L33/42;(IPC1-7):H01L33/00 主分类号 H01L33/02
代理机构 代理人
主权项
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