发明名称 用以测试半导体元件之方法与装置
摘要 一种测试半导体元件之方法,其包含黏着步骤、位置更正步骤、以及电气测试步骤。该黏着步骤包含黏着半导体元件整体或者多数个分离的半导体元件至提供于一黏着带-保持组件上之黏着带上面,该半导体元件整体利用被整合一起之多数个半导体元件而构成。该位置更正步骤包含利用架设一组位置更正单元于该黏着带-保持组件上面并且,使用一种影像处理技术,进行被黏着于该黏着带上面之该等半导体元件的位置辨识和位置更正而置放该等半导体元件。该电气测试步骤包含利用连接该等半导体元件至一组测试接触器而进行在该位置更正步骤中被置放之该等半导体元件的一种电气特性测试。
申请公布号 TW429500 申请公布日期 2001.04.11
申请号 TW088112300 申请日期 1999.07.20
申请人 富士通股份有限公司 发明人 板健治;上福元辉己;赤崎裕二;大山展生
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种半导体元件测试方法,其包含的步骤有:a)黏着一半导体元件整体或者多数个分别的半导体元件至提供于一黏着带-保持组件上之一黏着带上面,该半导体元件整体是利用被整合在一起之多数个半导体元件而构成;b)利用架设一组位置更正单元于该黏着带-保持组件上面并且,使用一种影像处理技术,进行被黏着该黏着带上面之该等半导体元件的位置辨识和位置更正而更正该等半导体元件之位置;以及c)利用连接该等半导体元件至一组测试接触器而进行该步骤b)中被定位之该等半导体元件的一种电气特性测试。2.如申请专利范围第1项之半导体元件测试方法,其中,在该步骤a)中,首先,该半导体元件整体被黏着于该黏着带上面,并且,接着,该半导体元件整体被切割成为分别的半导体元件。3.如申请专利范围第1项之半导体元件测试方法,其中,在该步骤a)中,首先,该半导体元件整体被切割成为分别的半导体元件,并且,接着,该等分别的半导体元件被黏着于该点着带上面。4.如申请专利范围第1项之半导体元件测试方法,其中,在该步骤b)中,该位置辨识与视觉检视一起分别地被进行于分别的半导体元件上面。5.如申请专利范围第1项之半导体元件测试方法,进一步地,在该步骤c)之后,包含步骤:d)依据该测试结果施加该半导体元件之判断资料至该半导体元件或者该黏着带-保持组件之至少一组。6.如申请专利范围第5项之半导体元件测试方法,进一步地,包含步骤:e)依据该步骤d)中所提供之该判断资料,仅取出已经被决定为,或者可被辨识为,良好的元件之半导体元件。7.如申请专利范围第6项之半导体元件测试方法,其中在该步骤e)中,该半导体元件被该黏着带-保持组件取出之方式使得该判断资料被指示于该站着带-保持组件上面并且该等半导体元件保持于当在该步骤a)中被黏着于该黏着带上面时之状态。8.一种用以测试多数个被黏着于一组黏着带-保持组件上所提供的黏着带上面之分别的半导体元件之装置,该装置包含:使用一种影像处理技术在该等多数个半导体元件之各组上面进行位置辨识和位置更正之一组位置更正单元;以及在该等半导体元件上面进行一种电气特性测试之一组电气特性测试单元,该电气特性测试单元具有将连接到形成于该等半导体元件上面之电极的一组测试接触器并且该半导体元件于被连接之该位置更正单元中被位置更正。9.如申请专利范围第8项之装置,其中该位置更正单元具有用以在被黏着于该黏着带上面之该等半导体元件之各组进行视觉检视之成像单元。10.如申请专利范围第8项之装置,其中该测试接触器包含:包含树脂薄膜以及形成于该树脂薄膜上面之第一互连物之一组弹性基片,该等第一互连物具有连接到该等半导体元件之电极的接触部份;具有第二互连物形成于其上面之一组印刷接线板,该等第二互连物连接到该等第一互连物;提供在该弹性基片和该印刷接线板之间并且弹性地支撑该树脂薄膜之一组弹性组件;以及提供在该弹性组件之内并且电气地连接该等第一互连物和该等第二互连物之导电球组件。图式简单说明:第一图是展示依据本发明之一种测试半导体元件之实施例的方法流程图。第二图是展示依据本发明将利用测试半导体元件之方法进行测试之半导体元件范例的截面图。第三图是展示用以制造引线框之方法中被进行之蚀刻-光阻施加程序的图形。第四图是展示用以制造引线框之方法中被进行之饨刻-光阻图型形成程序的图形。第五图是展示用以制造引线框之方法中被进行之蚀刻程序的图形。第六图是展示用以制造引线框之方法中被进行之蚀刻-光阻移除程序的图形。第七图是展示用以制造引线框之方法中被进行之电镀-光阻施加程序以及电镀-光阻图型形成程序的图形。第八图是展示用以制造引线框之方法中被进行之金属薄膜形成程序以及电镀-光阻移除程序的图形。第九图是展示用以制造引线框之方法中被进行之金属薄膜形成程序以及电镀-光阻移除程序的图形。第十图是展示依据本发明制造半导体元件之方法的一组实施例的晶片-架设程序的图形。第十一图是展示依据本发明制造半导体元件之方法的一组实施例的连接程序的图形。第十二图A是展示在连接程序之后引线框的截面图而第十二图B是展示于第十二图A引线框之平面图。第十三图A和第十三图B分别为展示依据本发明制造半导体元件之方法的一组实施例的密封程序之截面图和平面图。第十四图是展示依据本发明制造半导体元件之方法的一组实施例的分离程序之图形。第十五图A和第十五图B分别展示在分离程序之后树脂-密封个体的截面图和平面图。第十六图是展示附带于黏着带-保持环(黏着带)的半导体元件之整体的平面图。第十七图是展示半导体元件之整体是如何被切晶的透视图。第十八图是展示利用切晶而分别化的半导体元件之平面图。第十九图是展示附带于黏着带-保持环(黏着带)之半导体元件图形,该半导体元件藉切晶已经被分别化。第二十图是用以测试本发明一组实施例之半导体元件之装置的正视图。第二十一图是展示于第二十二图之装置的侧视图。第二十二图是被使用以测试半导体之接触器的放大侧视图。第二十三图是具有条码之黏着带-保持环的平面图。
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