| 主权项 |
1.一种在铜导线表面形成金属护垫的方法,包括下列步骤:提供一具有铜导线之半导体基底;在该半导体基底上方形成一具有第1厚度之保护层,该保护层具有一露出上述铜导线表面的开口;在该保护层表面形成一具有第2厚度的金属层,该金属层亦填入该开口的底部,且该第1厚度大于第2厚度;施以化学机械研磨法去除该开口以外之金属层,以在该铜导线的表面留下一金属护垫。2.如申请专利范围第1项所述之形成金属护垫的方法,其中上述保护层系二氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之形成金属护垫的方法,其中上述保护层系氮化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之形成金属护垫的方法,其中上述第1厚度与第2厚度差介于2000~6000埃之间。5.如申请专利范围第1项所述之形成金属护垫的方法,其中上述金属层系铝金属层。6.如申请专利范围第1项所述之形成金属护垫的方法,其中上述金属层系铝铜合金层。7.如申请专利范围第1项所述之形成金属护垫的方法,其中上述金属层系铝矽铜合金层。8.如申请专利范围第1项所述之形成金属护垫的方法,其中上述金属层系利用物理气相溅镀法形成。图式简单说明:第一图A~第一图D系第1习知技术在铜导线表面形成金属护垫的制程剖面图。第二图A~第二图C系第2习知技术在铜导线表面形成金属护垫的制程剖面图。第三图A~第三图C系本发明实施例在铜导线表面形成金属护垫的制程剖面图。 |
