| 主权项 |
1.一种薄型覆晶封装,该薄型覆晶封装具有一第一侧及一第二侧,且该薄型覆晶封装包括:复数支导脚,每一该些导脚具有第一第一表面及一第二表面,该些第二表面配置于该第二侧,其中该些第一表面分别具有一第一接点,且该些第二表面分别具有一第二接点;一晶片,该晶片具有一主动表面及一背面,且该主动表面具有复数个焊垫,该晶片以该主动表面面向该些导脚之该些第一表面配置,而该背面面向该第一侧,并以复数个导电材料分别连接该些焊垫及该些第一接点;一封装材料,填充于该晶片与该些导脚之间,并使得该背面暴露于该第一侧,且该些第二表面暴露于该第二侧;以及一焊罩,覆盖于该第二侧,仅暴露出该些第二接点。2.如申请专利范围第1项所述之薄型覆晶封装,其中该些第一接点配置于该些第二接点的内围。3.如申请专利范围第1项所述之薄型覆晶封装,其中该些第一接点配置于该些第二接点的外围。4.如申请专利范围第1项所述之薄型覆晶封装,其中该些导脚于第一接点的厚度大于第二接点的厚度。5.如申请专利范围第1项所述之薄型覆晶封装,其中该些第一接点表面分别还包括一镀层。6.如申请专利范围第1项所述之薄型覆晶封装,其中该些第二接点表面分别还包括一镀层。7.如申请专利范围第1项所述之薄型覆晶封装,其中该些导脚于该第一表面中该第一接点以外之区域还包括一焊罩配置其上。8.如申请专利范围第1项所述之薄型覆晶封装,其中该薄型复晶封装之厚度约介于200至300微米。9.如申请专利范围第1项所述之薄型覆晶封装,其中该些导电材料系选自于由锡铅凸块、金凸块,导电树脂凸块,异方性导电胶,异方性导电膜,导电胶及该等之组合所组成之族群中的一种材质。10.一种堆叠式薄型覆晶封装,该堆叠式薄型覆晶封装具有一第一侧及一第二侧,且该堆叠式薄型覆晶封装包括:复数支L型导脚,每一该些L型导脚分别具有一垂直部分及一水平部分,该些水平部分配置于该第二侧,且该些水平部分位于该些垂直部分之内围,其中该些垂直部分位于该第一侧之一端分别具有一第一接点,且该些水平部分位于该第二侧之一面分别具有一第二接点,而该些水平部分之另一面分别具有一第三接点;一晶片,该晶片具有一主动表面及一背面,且该主动表面具有复数个焊垫,该晶片以该主动表面面向该些L型导脚之该水平部分的另一面配置,而该背面面向该第一侧,且与该些垂直部分的一端位于同一平面,并以复数个导电材料分别连接该些焊垫及该些第三接点;一封装材料,填充于该晶片与该些L型导脚之间,并使得该背面暴露于该第一侧,且该些水平部分之一面暴露于该第二侧,该些垂直部分之一端暴露于该第一侧;以及一焊罩,覆盖于该第一侧与该第二侧,仅暴露出该些第一接点与该些第二接点。11.如申请专利范围第10项所述之堆叠式薄型覆晶封装,其中该些第一接点与该些第二接点之表面分别还包括一镀层。12.如申请专利范围第10项所述之堆叠式薄型覆晶封装,其中该堆叠式薄型覆晶封装之厚度约介于200至300微米。13.如申请专利范围第10项所述之堆叠式薄型覆晶封装,其中该些导电材料系选自于由锡铅凸块、金凸块,导电树脂凸块,异方性导电胶,异方性导电膜,导电胶及该等之组合所组成之族群中的一种材质。14.如申请专利范围第10项所述之堆叠式薄型覆晶封装,其中该些水平部分中该第三接点的周缘还包括一焊罩。15.一种薄型覆晶封装之制造方法,包括:提供一导电基板,该导电基板具有一第一侧及一第二侧,且该导电基板还包括复数个导脚区域,每一该些导脚区域分别具有一第一接点区及一第二接点区;形成一罩幕层,覆盖该导电基板之该第二侧,并覆盖该第一侧之该些第一接点区;半蚀刻该导电基板,使得该导电基板中该些第一接点区以外之部分厚度缩减,并去除至少部分该罩幕层;进行一厚度缩减制程,使得该导电基板中该些导脚区域以外之部分的厚压进一步缩减;提供一晶片,其中该晶片具有一主动表面及一背面,而该主动表面还包括复数个焊垫,该晶片以该主动表面面向该第一侧配置,并以复数个导电材料分别电性连接该些焊垫与该第一侧之该些第一接点区;以一封装材料覆盖该导电基板之该第一侧,并填满该晶片与该导电基板之间;蚀刻该导电基板之该第二侧,以暴露出该封装材料;研磨该第一侧之该封装材料,及该晶片之该背面,以缩减该薄型覆晶封装的厚度;以及形成一焊罩覆盖该第二侧,并暴露出该些第二接点区。16.如申请专利范围第15项所述薄型覆晶封装的制造方法,其中该罩幕层更包括一光阻层覆盖该第二侧,以及一镀层覆盖该第一侧之该些第一接点区,且去除至少部分该罩幕层时,仅去除该光阻层。17.如申请专利范围第15项所述薄型复晶封装的制造方法,其中该厚度缩减制程包括一压印制程。18.如申请专利范围第15项所述薄型覆晶封装的制造方法,其中研磨后该薄型覆晶封装之厚度约介于200至300微米。19.如申请专利范围第15项所述薄型覆晶封装的制造方法,更包括形成一镀层于暴露出之该些第二接点区表面。20.如申请专利范围第15项所述薄型覆晶封装之制造方法,其中该些导电材料系选自于由锡铅凸块、金凸块,导电树脂凸块,异方性导电胶,异方性导电膜,导电胶及该等之组合所组成之族群中的一种材质。21.如申请专利范围第15项所述薄型覆晶封装之制造方法,其中该厚度缩减制程后还包括在该第一侧,该些导脚区域中该些第一接点区以外的区域形成一焊罩。22.一种堆叠式薄型覆晶封装之制造方法,包括:提供一导电基板,该导电基板具有一第一侧及一第二侧,且该导电基板还包括复数个导脚区域,每一该些导脚区域分别具有一堆叠接点区及一晶片接点区,而该些堆叠接点区位于该些晶片接点区的外围;形成一罩幕层,覆盖该导电基板之该第二侧,并覆盖该第一侧之该些堆叠接点区;半蚀刻该导电基板,使得该导电基板中该些堆叠接点区以外之部分厚度缩减,并去除至少部分该罩幕层;进行一厚度缩减制程,使得该导电基板中该些导脚区域以外之部分的厚度进一步缩减;提供一晶片,其中该晶片具有一主动表面及一背面,而该主动表面还包括复数个焊垫,该晶片以该主动表面面向该第一侧配置,并以复数个导电材料分别电性连接该些焊垫与该第一侧之该些晶片接点区,使得该些堆叠接点区位于该晶片之周缘;以一封装材料覆盖该导电基板之该第一侧,并填满该晶片与该导电基板之间;蚀刻该导电基板之该第二侧,以暴露出该封装材料;研磨该第一侧之该封装材料,及该晶片之该背面,至暴露出该第一侧之该些堆叠接点区;以及形成一焊罩覆盖该第一侧与该第二侧,并暴露出该第一侧之该些堆叠接点区,及该第二侧之该些堆叠接点区。23.如申请专利范围第22项所述堆叠式薄型覆晶封装的制造方法,更包括形成一镀层于暴露出之该些堆叠接点区。24.如申请专利范围第22项所述堆叠式薄型覆晶封装的制造方法,其中研磨后该堆叠式薄型覆晶封装之厚度约介于200至300微米。25.如申请专利范围第22项所述堆叠式薄型覆晶封装之制造方法,其中该些导电材料系选自于由锡铅凸块、金凸块,导电树脂凸块,异方性导电胶,异方性导电膜,导电胶及该等之组合所组成之族群中的一种材质。26.如申请专利范围第22项所述堆叠式薄型覆晶封装之制造方法,其中该厚度缩减制程后,还包括在该第一侧该些晶片接点区中,欲与该些导电材料接合的区域之外围形成一焊罩。图式简单说明:第一图绘示为习知覆晶封装的剖面图。第二图至第六图绘示依照本发明第一较佳实施例的一种薄型覆晶封装之制程剖面图。第七图绘示依照本发明之第二较佳实施例的一种「向内展开」薄型覆晶封装剖面图。第八图及第九图绘示依照本发明之第三较佳实施例的一种堆叠式薄型覆晶封装剖面图。第十图绘示本发明堆叠式薄型覆晶封装的堆叠结构示意图。 |
