| 发明名称 | 半导体制造用处理室之内壁保护体 | ||
| 摘要 | 本创作系有关于一种「半导体制造用处理室之内壁保护体」之新式样设计。如图所示，本创作主要系用以配设于沿着半导体晶圆之蚀刻装置之处理室(处理容器)之内壁，如显示使用状态之截面参考图所示，令高频电源连接于配设于该处理容器内上部电极及下部电极之一以上时，此等电极间可形成电浆，而藉装设本物品则可防止处理容器之内壁因电浆而受损。于右侧视图及立体图所见以状排列表示之五个小圆形模样部份为透气孔。上述说明仅供辅助了解本创作而非用以限制其内容;理应明了，新式样系就其整体形状、花纹或色彩指定之，且系以申请专利范围所界定者为准。 | ||
| 申请公布号 | TW430531 | 申请公布日期 | 2001.04.11 |
| 申请号 | TW087307802 | 申请日期 | 1998.10.27 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 风间晃一 |
| 分类号 | 主分类号 | ||
| 代理机构 | 代理人 | 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼 | |
| 主权项 | 一种如图所示「半导体制造用处理室之内壁保护 体」之形状者。图式简单说明: 第一图所示系本创作之立体图; 第二图所示系本创作之前视图; 第三图所示系本创作之后视图; 第四图所示系本创作之左侧视图; 第五图所示系本创作之右侧视图; 第六图所示系本创作之俯视图; 第七图所示系本创作之仰视图;以及 | ||
| 地址 | 日本 | ||