半导体的制造方法

摘要

一种半导体的制造方法,包括步骤:提高室温度至1000℃,以4.01/min流率,引入氨气,作为氮的来源,以4.01/min流率,引入氢气,作为载子气体,以40×10^－6mol/min流率,引入TMG气体,作为镓的来源,以2×10^-6mol/min流率,引入Cp₂Mg气体,作为镁杂质的来源,然后进行外延成长掺杂镁的GaN层,再缓慢降温10分钟至700度,在此过程中,使氢气与氨气流率逐渐减小至关闭,逐渐开放氮气进入外延室,使其流率增加至201/min,继而缓慢降至室温。

主权项

1、一种III-V族化合物半导体的制造方法，供使用于一制造室中，在一第一预定温度下，以第一预定流率，引入含V族化学元素的第一种气体，作为V族化学元素的来源，完成外延成长掺杂一种P型杂质的一层III-V族化合物半导体材料后，使P型杂质活化，其特征在于，包括以下步骤：一第一冷却步骤，在一预定时段内，使该层III-V族化合物半导体材料在制造室中，自第一预定温度缓慢冷却至一第二预定温度，同时逐渐开放一种非活性气体进入制造室，并使其流率自零增大至一预定流率，同时逐渐使V族气体关闭至零；一第二冷却步骤，使该层III-V族化合物半导体材料在该制造室中，在完成第一冷却步骤后，继续在非活性气体的气氛下缓慢冷却至一第三预定温度。