| 摘要 |
本发明提出一种具有高电容值电容器的动态随机存取记忆体的制作方法。首先在半导体基板上选择性地形成场氧化物区域，留下制作元件用的元件区域。形成闸介电层后，在场氧化物和元件区域上沈积一层相当厚的复晶矽，饰去部份，留下板上形成源／汲极后，在元件区域和场氧化物区域上形成一层第一绝缘层，并在所述第一绝缘层上制定源极接触窗(Node Conatct)的图案，然后即进行堆叠式电容器的制作：首先沈积一层第二复晶矽层与第二绝缘层，利用电浆蚀刻技术在源／吸极上方制定第二绝缘层的图案，接着沈积第三绝缘层并利用活性离子式蚀刻技术重直单向性地对第二绝缘层进行回蚀刻，以在第二绝缘层图案的侧面形成侧壁子(Spacer)。然后，藉着所述侧壁子为氧化保护罩(Oxidation Mask)将侧壁子之间裸露的第二复晶矽层热氧化，局部形成复晶矽垫氧化矽。利用化学溶液选择性地去除所述侧壁子后，藉着所述复晶矽热氧化矽和利余之第二绝缘层为蚀刻保护罩(Etch Mask)，垂直单向性地蚀去一部份的第二复晶矽层，旋即用蚀刻液去除所述复晶矽热氧化矽和剩余之第二绝缘层，所述第二复晶矽层上于是形成凹沟。接着制定电容器的下层电极图案，在此下层电极上形成一层电容器介电层后，沈积第三复晶矽层，并加以图案化作为堆叠式电容器的上层电极。一具备高电容值之堆叠式动态随机存取记忆体于焉完成。 |
