研磨组合物

摘要

本发明系有关于一种由去离子水30-99wt%、金属氧化物粉末0.1-50wt%和环胺物0.01-20wt%所组成的研磨组成物。此研磨组成物用来作为积体电路薄膜进行化学机械研磨的研磨组成物，有使研磨表面上造成微刮痕减到最少的功效，因此可应用在大型积体电路制程中的浅沟隔离(Shallow Trench Isolation，STI)制程。

主权项

1.一种研磨组成物,由去离子水30-99wt%、金属氧化物粉末0.1-50wt%或环胺物0.01-20wt%所组成。2.如申请专利范围第1项所述之研磨组成物,其中,该环胺物至少由2-咯酮(2-pyrrolidinone),咯啶(pyrrolidine),3-咯醇(3-pyrrolidinol),3-咯(3-pyrroline),甲基-2-氧代-1-咯啶乙酸酯(methy1-2-oxo-1-pyrrolidine acetate),N-甲基咯酮(N-methy1pyrroli-dinone),和N-甲基咯啶(N-methy1 pyrrolidine)中选出一项。3.如申请专利范围第1项所述之研磨组成物,其中,该金属氧化物至少由二氧化矽(SiO2),氧化铝(Al2O3),氧化铈(CeO2),氧化锆(ZrO2),and氧化钛(TiO2)中选出一项。4.如申请专利范围第1或3项所述之研磨组成物,其中,该金属氧化物粉末的平均粒径大小为10-100nm。5.如申请专利范围第1项所述之研磨组成物,其中,该金属氧化物为二氧化矽(SiO2)。