| 主权项 |
1.一种天线结构,包含:一基板,一中央馈送偶极天线,包括第一及第二辐射部分,其沿基板自一中央馈送点延伸;一馈送部分以电耦合至中央馈送点,该馈送部分包括一射频输入线及一地线沿基板彼此相邻延伸;及一转换器(平衡-不平衡变压器)沿基板在第一辐射部分及地线之间延伸。2.如申请专利范围第1项之天线结构,其中之第一辐射部分,射频输入线,地线及转换器沿基板平行延伸。3.如申请专利范围第1项之天线结构:其中之馈送部分包括一射频输入线及第一及第二地线于其相对侧,及沿邻近之基板延伸;及其中之转换器(平衡-不平衡变压器)部分在第一辐射部分及第一地线之间延伸,及第二转换器(平衡-不平衡变压器)沿与射频输入线相反之邻近第二地线延伸。4.如申请专利范围第3项之天线结构,其中之中央馈送偶极天线尚包括一第三辐射部分沿基板自中央馈送点邻近第二(平衡-不平衡变压器)转换器及与第二地线部分相反延伸。5.如申请专利范围第3项之天线结构,其中第一辐射部分,射频输入线,第一及第二地线及第一及第二(平衡-不平衡变压器)转换器沿基板平行延伸。6.如申请专利范围第4项之天线结构,其中之第一及第三辐射部分,射频输入线,第一及第二地线及第一及第二转换器部分沿基板彼此平行延伸。7.如申请专利范围第2项之天线结构,尚包含一调谐分路其沿基板在射频输入线及转换器(平衡-不平衡变压器)之间延伸。8.如申请专利范围第5项之天线结构,尚包含一调谐分路,其沿基板在第一及第二转换器(平衡-不平衡变压器)部分之间延伸。9.如申请专利范围第6项之天线结构,尚包含一调谐分路,其沿基板在第一及第二转换器(平衡-不平衡变压器)部分之间延伸。10.如申请专利范围第1项之天线结构,其中之基板包括第一及第二相对表面及其中之中央馈送偶极天线,馈送部分及转换器(平衡-不平衡变压器)在第一表面上以提供一共面波导。11.如申请专利范围第3项之天线结构,其中之基板包括第一及第二相对之表面,其中之中央馈送偶极天线,馈送部分及转换器(平衡-不平衡变压器)在第一表面上以提供一共面波导。12.如申请专利范围第4项之天线结构,其中之基板包括第一及第二相对之表面及其中之中央馈送偶极天线,馈送部分及转换器(平衡-不平衡变压器)在第一表面上以提供一共面波导。13.如申请专利范围第2项之天线结构,其中之基板包括第一及第二相对之表面,其中之中央馈送偶极天线,馈送部分及转换器(平衡-不平衡变压器)在第一表面上以提供一共面波导,及其中之调谐分路在第二表面上。14.如申请专利范围第5项之天线结构,其中之基板包括第一及第二相对之表面,其中之中央馈送偶极天线,馈送部分及转换器(平衡-不平衡变压器)在第一表面上以提供一共面波导,及其中之调谐分路在第二表面上。15.如申请专利范围第6项之天线结构,其中之基板包括第一及第二相对之表面,其中之中央馈送偶极天线,馈送部分及转换器(平衡-不平衡变压器)在第一表面上以提供一共面波导,及其中之调谐分路在第二表面上。16.如申请专利范围第1项之天线结构,其中之基板包括第一及第二层,其中之第二辐射部分及射频输入线包括在第一层内,其中之第一辐射部分,地线及转换器(平衡-不平衡变压器)包括在第二层内。17.如申请专利范围第8项之天线结构,其中之基板包括第一,第二及第三层,其中之第二辐射部分及射频输入线包括在第一层内,其中之第一辐射部分,地线及转换器(平衡-不平衡变压器)包括在第二层内,及其中之调谐分路包括在第三层内。18.一种共面波导天线结构,包含:一共面波导馈送部分,包括一射频输入部分及第一及第二地部分在一基板表面上,各别接地部分则在射频输入部分之相反侧上;第一及第二1/4波偶极天线部分在基板表面上,第一天线部分电耦合至射频输入部分,及第二天线部分则电耦合至第一接地部分;在基板表面上之第一转换器(平衡-不平衡变压器)电耦合至第一接地部分及延伸于第一接地部分及第二天线部分之间延伸;及在基板表面上之第二转换器电耦合至第二接地部分。19.如申请专利范围第18项之共面波导天线结构,尚包含基板表面上之第三天线部分电耦合至第二接地部分,及在基板上在第二接地部分及第三天线部分之间延伸。20.如申请专利范围第19项之共面波导天线结构,其中之射频输入部分,第一及第二接地部分,第一及第二转换器(平衡-不平衡变压器)部分及第二及第三天线部分沿基板表面平行延伸。21.如申请专利范围第18项之共面波导天线结构,其中之第二天线部分沿基板表面以蛇形方式延伸。22.如申请专利范围第18项之共面波导天线结构,其中之基板表面为第一基板表面,及其中之基板包括第二基板表面与第一基板表面相反,此天线结构尚包含在第二基板表面上之一调谐分路在第一及第二转换器(平衡-不平衡变压器)部分之间延伸。23.如申请专利范围第19项之共面波导天线结构,其中之基板表面为第一基板表面及其中之基板包括在与第一基板表面相反之第二基板表面,天线结构尚包括在第二基板表面上之一调谐分路在第二及第三天线部分之间延伸。24.一种微波带天线结构,包含:一基板,包括第一及第二层;第一层包括第一微波带射频输入部分及第一1/4波偶极天线部分电耦合至该处;及第二层包括一微条接地轨迹与第一微条射频输入部分相邻,第一转换器(平衡-不平衡变压器)部分与微条接地轨迹之第一侧相邻,一第二转换器部分与微波带接地轨迹之第二侧相邻,及一第二1/4波偶极天线部分与第一转换器(平衡-不平衡变压器)相邻及与微波带接地轨迹相反。25.如申请专利范围第24项之微波带天线结构,尚包括一第三个1/4波长偶极天线部分邻近第二转换器部分并与微波带接地轨迹相反。26.如申请专利范围第24项之微波带天线结构,其中第一个1/4波长隅极天线部分以蛇形方式在第一层中延伸。27.如申请专利范围第24项之微波带天线结构,其中之基板尚包括第三层,此第三层包括一调谐分路其自邻近第一转换器部分延伸至邻近第二转换器部分。28.如申请专利范围第25项之微波带天线结构,其中之基板尚包括一第三层,第三层包括一调谐分路,其自邻近第二天线部分延伸至邻近第三天线部分。图式简单说明:第一图A及第一图B为本发明之其平面波导天线之顶规及底视图。第二图说明第一图中之一天线之输入阻抗电压驻波比(VSWR)。第三图A及第三图B说明第一图中之一天线之800MHz及1900MHz之辐射图案。第四图A-第四图C说明本发明之微波带天线之第一,第二及第三层。第五图说明第一图A之天线之另一具体实例。 |
